BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650 毫欧 @ 270mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 2.7µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.26nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 75pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS670S2LH6327XTSA1手册
BSS670S2LH6327XTSA1概述
BSS670S2LH6327XTSA1 产品概述
简介
BSS670S2LH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道 MOSFET，封装类型为 SOT-23-3，专为高效能和小型化设计的电子设备而设计。这款器件具有优良的参数特性，适用于各种电子应用，如开关电源、马达驱动、负载开关和高边开关，以实现高效的功率管理和信号处理。
基本参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：55V
- 持续漏电流（Id）：540mA（在 25°C 环境温度下）
- 驱动电压：支持 4.5V 至 10V
- 最大导通电阻（Rds On）：650毫欧（在 10V Vgs，270mA Id 下）
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大 2V（在 2.7µA 下）
- 栅极电荷（Qg）：最大 2.26nC（在 10V Vgs 下）
- 最大 Vgs：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大 75pF（在 25V Vds 下）
- 功率耗散：最大 360mW（在 25°C 环境下）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（结温 TJ）
- 封装类型：SOT-23-3
应用领域
BSS670S2LH6327XTSA1 MOSFET 以其高耐压和低导通电阻的特性，广泛应用于智能电源管理电路、便携式设备中的电源管理、LED 驱动、高频开关电源和各种其他需要高效率和高可靠性的 DC-DC 转换器。其宽温度范围和可靠的性能使其在工业、汽车电子及消费类电子设备中都有应用。
性能特点
高效能：该 MOSFET 的低 Rds On 和高电流能力能够显著降低功率损耗，提高整体系统的能效，使电源转换效率更高。
高电压耐受性：具有 55V 的漏源电压范围，使其适用于多种应用场合，能够处理较高的电压而不发生击穿。
宽温工作范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围使其非常适合恶劣环境条件下的应用，不容易受到温度变化的影响，确保了设备的长期稳定工作。
小型封装：SOT-23-3 封装使得该器件在尺寸受限的电子设备中，能够有效节省空间，并满足现代电子设计对小型化的要求。
便于驱动：支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，使其在与逻辑电平兼容的系统中易于集成和设计。
结论
总而言之，BSS670S2LH6327XTSA1 是一款优质的 N 通道 MOSFET，结合了高效能、耐高压、小型化和宽温范围等优点，非常适合于现代电子设备的多种应用场景。从家电、汽车电子到工业控制，BSS670S2LH6327XTSA1 都能提供稳定且高效的解决方案，帮助电子设计工程师在不同领域实现更为卓越的表现。选择 BSS670S2LH6327XTSA1，将是您追求高效率和高可靠性设计的理想选择。