晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | EMT6 |
EMH60T2R 是一种高性能的数字双极晶体管,包含两个 NPN 预偏压式晶体管,适用于各种电子电路应用。这款产品的额定功率为150mW,具有最大集电极电流(Ic)为100mA,且工作电压可承受的集射极击穿(Vce)最大值为50V。EMH60T2R 的设计目标是满足现代电子设备对高效、紧凑且耐用元件的需求。
在特定的工作条件下,EMH60T2R 提供了优异的直流电流增益(hFE),其中在5mA和10V的条件下,最小增益可达到80。这意味着晶体管能够有效放大输入信号,适应各种信号处理应用。此外,Vce 饱和压降的最大值为150mV(在500µA和5mA时),有助于降低功耗并提高效率。
此型号具备高达250MHz的跃迁频率,使其非常适用于高频电子应用,包括RF(射频)和微波电路。这项特性确保了在信号传输过程中低的延迟和高效的信号处理能力。
EMH60T2R 采用 SOT-563 和 SOT-666 表面贴装型封装(EMT6),这种紧凑的封装提供了更高的集成度和更小的电路板占用面积,适合现代小型化电子产品需求。表面贴装式设计还简化了制造过程,提高了生产效率与可靠性。
凭借其优异的性能参数,EMH60T2R 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
EMH60T2R 是一款兼具高效能与小型化设计优势的先进数字晶体管,特别适合于需要低功耗、高频及高增益特性的现代电子应用。其优异的电流增益、饱和压降和频率特性,使得该产品在推动电子设备小型化与高效化方面具备重要价值,成为众多电子设计工程师的理想选择。选择 EMH60T2R,将有助于提升产品的整体性能与市场竞争力。