EMH60T2R 产品实物图片
EMH60T2R 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMH60T2R

商品编码: BM0000225873
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-563
库存 :
9108(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.321
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.321
--
500+
¥0.214
--
4000+
¥0.186
--
8000+
¥0.166
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMH60T2R参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,5mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装EMT6

EMH60T2R手册

empty-page
无数据

EMH60T2R概述

EMH60T2R 产品概述

1. 产品简介

EMH60T2R 是一种高性能的数字双极晶体管,包含两个 NPN 预偏压式晶体管,适用于各种电子电路应用。这款产品的额定功率为150mW,具有最大集电极电流(Ic)为100mA,且工作电压可承受的集射极击穿(Vce)最大值为50V。EMH60T2R 的设计目标是满足现代电子设备对高效、紧凑且耐用元件的需求。

2. 主要参数

  • 晶体管类型:EMH60T2R 是双 NPN 预偏压式晶体管,适合在低功耗数字电路中使用。
  • 集电极电流 (Ic):该产品最大承受电流为100mA,使其适合于驱动各种负载,包括小型电机和LED等。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大击穿电压为50V,确保在高压环境中稳定运行。
  • 基极电阻 (R1):设置为2.2千欧,帮助控制基极电流以优化性能。
  • 发射极电阻 (R2):为47千欧,支持较大的增益和稳定的工作状态。

3. 电流增益与饱和压降

在特定的工作条件下,EMH60T2R 提供了优异的直流电流增益(hFE),其中在5mA和10V的条件下,最小增益可达到80。这意味着晶体管能够有效放大输入信号,适应各种信号处理应用。此外,Vce 饱和压降的最大值为150mV(在500µA和5mA时),有助于降低功耗并提高效率。

4. 频率响应

此型号具备高达250MHz的跃迁频率,使其非常适用于高频电子应用,包括RF(射频)和微波电路。这项特性确保了在信号传输过程中低的延迟和高效的信号处理能力。

5. 封装和安装

EMH60T2R 采用 SOT-563 和 SOT-666 表面贴装型封装(EMT6),这种紧凑的封装提供了更高的集成度和更小的电路板占用面积,适合现代小型化电子产品需求。表面贴装式设计还简化了制造过程,提高了生产效率与可靠性。

6. 应用领域

凭借其优异的性能参数,EMH60T2R 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 消费电子:如手机、平板以及其他便携式设备
  • 工业控制:在自动化设备和机器人控制系统中起到关键作用
  • 通信设备:用于信号放大与处理的基站及其他通信设备
  • 嵌入式系统:适合用于微控制器周边的开关、信号放大和逻辑电路

7. 结论

EMH60T2R 是一款兼具高效能与小型化设计优势的先进数字晶体管,特别适合于需要低功耗、高频及高增益特性的现代电子应用。其优异的电流增益、饱和压降和频率特性,使得该产品在推动电子设备小型化与高效化方面具备重要价值,成为众多电子设计工程师的理想选择。选择 EMH60T2R,将有助于提升产品的整体性能与市场竞争力。