注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SI4463CDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W；5W 20V 13.6A；49A 1个P沟道 SOIC-8-150mil
库存 :
4339(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
4.02按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.02
--
100+
￥3.36
--
1250+
￥3.05
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4463CDY-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.6A（Ta），49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 162nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4250pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4463CDY-T1-GE3手册
无数据
SI4463CDY-T1-GE3概述
产品概述：SI4463CDY-T1-GE3
一、产品简介
SI4463CDY-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET场效应管，专为需要高电流和高效率的应用而设计。其优秀的电气特性和鲁棒性使得它成为各种电子电路中理想的选择，尤其是在功率控制和开关电源等领域。VISHAY（威世）作为行业领先的半导体制造商，确保了该产品在多种环境下的可靠性和稳定性。
二、产品特点
- 高电流承载能力：SI4463CDY-T1-GE3在25°C的连续漏极电流可达13.6A，而在更高的温度下（Tc）可达到49A，使其能够满足高功率应用的需求。
- 低导通电阻：导通电阻（Rds On）在10V Vgs条件下，仅为8毫欧，这在降低功率损耗和提高系统效率方面是至关重要的。此特性特别适合于需要高效能的DC-DC转换器和电机驱动应用。
- 宽工作温度范围：该器件具有-55°C至150°C的工作温度范围，适合于苛刻的环境条件，可广泛应用于汽车、工业和通信等领域。
- 易于驱动：门极驱动电压范围为2.5V到10V，确保与各种逻辑电平兼容，使得设计电路时的灵活性增大。
- 封装形式：采用小型8-SOIC封装，尺寸为3.90mm宽，适合表面贴装，能够在较小的电路板空间内实现高效布局。
三、技术规格
- FET类型：P沟道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 最大连续漏电流（Id）：13.6A (Ta), 49A (Tc)
- 导通电阻：最大8毫欧 @ 10V，13A
- 门极阈值电压（Vgs(th)）：最大1.4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大162nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大4250pF @ 15V
- 功率耗散：最大2.7W (Ta), 5W (Tc)
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SOIC
四、应用领域
SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET广泛用于以下几种应用场景：
- 开关电源：高效率的电源转换需要MOSFET的低导通电阻来减少能量损耗。
- 电池管理系统：在电池充电和放电控制中，该器件通过快速开关和低电阻性能来提高系统的总体效率。
- 电机驱动：为电动机和伺服电机提供可靠的功率控制，有助于实现精确的运动控制和能量管理。
- LED驱动：在大功率LED照明系统中，通过调节电流实现亮度控制。
- 汽车电子：在电动汽车和传统汽车的多种电子控制单元中，该FET的宽温度范围和高可靠性能够保证其在复杂环境中的稳定运行。
五、总结
SI4463CDY-T1-GE3是一款优秀的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力及出色的温度特性，使其成为多种电子设计的理想选择。无论是在开关电源、汽车电子还是电池管理系统中，该产品都可以凭借其卓越的性能，为用户提供更多的灵活性和高效的解决方案。VISHAY（威世）的专业制造背景，确保了该产品在任何应用场景下的可靠性与性能。选择SI4463CDY-T1-GE3，将为电子设计的成功提供坚实的基础。