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IRFR9110TRPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.528g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；25W 100V 3.1A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
1624(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
3.28按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.28
--
100+
￥2.73
--
1000+
￥2.49
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR9110TRPBF参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 200pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR9110TRPBF手册
无数据
IRFR9110TRPBF概述
IRFR9110TRPBF 产品概述
引言
IRFR9110TRPBF 是一款高性能的 P 型沟道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）出品。这款 FET 具备优秀的电气性能和广泛的应用场合，特别适合在高电压、低电流及要求高效率的电源管理与开关控制中使用。
主要参数
- FET 类型: P通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 连续漏极电流 (Id): 3.1A @ 25°C（Tc）
- 最大 Rds(on) 导通电阻: 1.2 欧姆，工作电流 1.9A，栅极驱动电压 10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V，@ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 8.7 nC，@ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 200pF @ 25V
- 功率耗散: 最大 2.5W（环境温度 Ta），25W（结温 Tc）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: TO-252-3 D-Pak
结构特征
IRFR9110TRPBF 是一种表面贴装型（SMD）的元件，内置于 TO-252 封装中，这种封装形式不仅使其在安装时方便快捷，同时也有利于热管理。其设计考虑到散热效能，具有良好的功率处理能力，特别在需要频繁开关的电路中表现出色。
性能优势
- 高压耐受性: 最高可承受 100V 的漏源电压，使其非常适合于电源电路及高压开关应用。
- 低导通电阻: 最大 1.2 欧姆的导通电阻在相对较高的工作电流下，能够有效降低功耗，提升系统效率，减小热量产生。
- 宽温操作范围: 工作温度可达到 -55°C 到 150°C，使其能够在各种极端条件下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境要求相对苛刻的领域。
应用场景
IRFR9110TRPBF 适合用于各种现代电子设备，尤其在以下领域表现优异：
- 开关电源: 高压和高效能的应用场合。
- 电动机控制: 可以在电阻低、效率高的情况下驱动直流电机。
- 逆变器: 在光伏发电和电动汽车等可再生能源应用中，能够有效转换和控制电源。
- 负载开关: 用于高效的电源管理解决方案，控制大功率负载的启停。
结论
IRFR9110TRPBF 是一款优秀的 P 型 MOSFET，其出色的性能和广泛的温度适应范围使其在众多电子产品中 bulunabilir。无论是在高效的开关电源设计中，还是在电动机或逆变器等应用中，IRFR9110TRPBF 都能提供稳定而高效的性能。凭借其较低的导通电阻和优秀的散热能力，能够有效提升设备的整体效率与可靠性，是工程师们优秀的选择。