注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SISA14DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.57W；26.5W 30V 20A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.88按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.88
--
100+
￥2.31
--
750+
￥2.06
--
1500+
￥1.94
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SISA14DN-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.1 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1450pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.57W（Ta），26.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SISA14DN-T1-GE3手册
无数据
SISA14DN-T1-GE3概述
SISA14DN-T1-GE3 产品概述
产品简介
SISA14DN-T1-GE3是VISHAY推出的一款高性能N通道MOSFET（场效应管），采用先进的PowerPAK® 1212-8封装技术，专为高效能应用设计。本产品具备出色的电气特性，适合用于多种高频开关电源、DC-DC变换器以及电动汽车、消费电子等领域的功率管理。
关键参数
- FET 类型：N 通道MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，最大值为20A（考虑到结温的影响）
- 驱动电压：该MOSFET支持4.5V至10V的驱动电压，从而实现不同状态下的导通电阻，确保在各种工作条件下的稳定性
- 导通电阻 (Rds On)：在10A和10V Vgs下，最大导通电阻为5.1毫欧，显示出优异的电流传导能力
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为2.2V（@250µA），确保快速启动与关断
- 栅极电荷 (Qg)：在10V时，最大值为29nC，这意味着该MOSFET可以在较低的驱动功耗下实现快速开关
- 输入电容 (Ciss)：在15V时，最大输入电容为1450pF，提供良好的频率响应与信号稳定性
- 温度范围：工作温度范围为-55°C到150°C，适用于极端环境条件
- 功率耗散：在环境温度条件下最大功率耗散为3.57W（Ta），而在结温条件下最大功率耗散为26.5W（Tc），确保高效率传输
封装特性
SISA14DN-T1-GE3采用了PowerPAK® 1212-8封装，具有较小的占用面积与增强的热管理能力。此封装设计有效提高了散热性能，适合高功率应用，同时体积小，便于在空间受限的电路中使用。
应用场景
- 开关电源（SMPS）：适用于各种开关电源拓扑结构，以减少能源损耗并提高效率。
- DC-DC变换器：能用于降压、升压和反向变换等电路，提供高效能电源解决方案。
- 电动汽车（EV）：在电动汽车的驱动控制域中，提供稳定的电源管理。
- 工业自动化：用作电机驱动和控制应用，确保设备性能稳定。
- 消费电子：广泛应用于小型家电、移动设备及计算设备等，帮助提高稳态与动态性能。
性能优势
SISA14DN-T1-GE3在多项关键性能指标上具有优势，例如低导通电阻、高阈值电压和宽工作温度范围。这些特点使得产品在高频、高效率的电源转换中表现出色，帮助降低系统的整体功耗。此外，PowerPAK®封装的低热阻特性显著提升了产品的散热能力，降低了系统的热性能风险。
总结
总之，SISA14DN-T1-GE3凭借其卓越的电气性能、优异的热管理能力及适用广泛的应用场景，成为了现代高效电源设计中不可或缺的重要元件。无论是在工业领域还是消费市场，此款MOSFET都展示了其在功率管理中的巨大潜力，是设计工程师寻求性能与效率的理想选择。