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SI9433BDY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 4.5A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
5.72按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.72
--
100+
￥4.77
--
1250+
￥4.33
--
2500+
￥4.01
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SI9433BDY-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI9433BDY-T1-E3手册
无数据
SI9433BDY-T1-E3概述
产品概述：SI9433BDY-T1-E3
SI9433BDY-T1-E3 是一款由VISHAY（威世）生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为需要高效能和小型化设计的电子设备而设计。该产品具有优越的电气性能和宽广的工作温度范围，适用于诸多应用场合，包括但不限于电源管理、开关电源、驱动电路以及自动化设备。
主要特性：
- FET类型：此型号专为P沟道设计，可在简单的电路框架内实现高效控制。P沟道MOSFET在开关实现反向电流时尤为有效，特别适合高侧开关应用。
- 技术：该元件采用了成熟的MOSFET技术，这种技术具备更低的导通电阻和更高的开关速度，适合高频应用。
- 电压和电流规格：SI9433BDY-T1-E3 的漏源电压（Vdss）额定值为20V，26°C时的连续漏电流（Id）为4.5A，使得其在多种电源链路中表现出色。
- 导通电阻：产品在4.5V和6.2A时，其导通电阻最大值为40毫欧，此低导通电阻有助于降低功耗，提升系统整体效率。
- Vgs(th)特性：漏源阈值电压最大值为1.5V @ 250µA，意味着在较低的栅极驱动电压下即可实现导通，从而提升电路的工作灵敏度。
- 栅极电荷：栅极电荷（Qg）最大值为14nC @ 4.5V，能够改善驱动电路的响应速度和稳定性。
- 环境适应性：产品的工作温度范围从-55°C至150°C，能够在极端环境下稳定工作，适合汽车、航空以及工业自动化等应用。
- 功率耗散：最大功率耗散为1.3W，这一特性使得该组件能够应对不同应用中的高负载情况而不至于过热或失效。
- 安装和封装类型：该元件采用表面贴装型（SMD）的设计，封装规格为8-SOIC。这种设计不仅节省了空间，还简化了生产过程中对电路板的焊接和组装，能够提高整体生产效率。
应用领域：
由于其良好的电气性能与抗环境干扰的能力，SI9433BDY-T1-E3被广泛应用于多个领域，包括：
- 开关电源：满足电流和电压调节的需求，提升电源转换效率。
- 电机驱动：高效控制电机的运行及转速，适用于各种电动工具及家电。
- 发光二极管（LED）驱动电路：在低功耗和高性能的LED照明系统中，提供稳定的电流。
- 消费电子产品：例如手机、平板电脑及音频设备中，进行电源管理和电流控制。
结论：
作为一款高性能的P沟道MOSFET，SI9433BDY-T1-E3凭借其卓越的导电性能及广泛的应用范围，成为电子设计工程师在现代电子设备中不可或缺的元件。通过合理应用此产品，工程师们能够实现更高的系统效率以及更为优化的电子设计，满足不断增长的市场需求。