IRFR430ATRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR430ATRPBF

商品编码: BM0000209752
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
D-Pak
包装 : 
编带
重量 : 
5.49g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 110W 500V 5A 1个N沟道 DPAK
库存 :
169(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.33
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.33
--
100+
¥2.57
--
1000+
¥2.23
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR430ATRPBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)500V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.7 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)24nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)490pF @ 25V
功率耗散(最大值)110W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR430ATRPBF手册

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IRFR430ATRPBF概述

IRFR430ATRPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFR430ATRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由威世(VISHAY)公司生产。该器件专为高效能、高可靠性的电源管理与开关应用而设计,具有出色的导通能力和低导通电阻,适用于广泛的工业和消费类电子产品。

2. 主要特性

  • 漏源电压(Vdss):500V,适合在高压环境下工作,使其成为电机驱动、开关电源和逆变器等应用的理想选择。
  • 持续漏极电流(Id):5A,确保器件在各种负载条件下的稳定性。
  • 导通电阻(Rds(on)):最大值为1.7Ω(@ 3A, 10V),这使得其在动态负载条件下具有较低的能量损耗和发热特性。
  • 栅源电压(Vgs)最大值:±30V,提供了额外的设计灵活性,确保栅极驱动电压能够承受较大波动。
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C(TJ),适合各种严苛的工作环境和条件。

3. 性能参数

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为4.5V(@ 250µA),表明该器件在相对低的栅源电压下能够迅速开启,使其在低电压驱动下亦可高效工作。
  • 输入电容(Ciss):最大值为490pF(@ 25V),合理的输入电容确保了高频操作中的稳定性和快速开关性能。
  • 栅极充电量(Qg):最大值为24nC(@ 10V),进一步提高了开关频率时的效率表现。
  • 功率耗散(Pd):最大可达110W(@ Tc),提供可靠的热管理能力,适合长时间高负载工作。

4. 封装与安装

IRFR430ATRPBF 采用 D-Pak 封装(TO-252-3),适合表面贴装(SMT)技术,有助于提升PCB的设计密度。D-Pak 封装不仅支持良好的散热性能,还简化了器件的自动化组装过程。

5. 应用领域

该 MOSFET 适用于多种应用,包括:

  • 开关电源(SMPS)
  • 电动机驱动
  • 高频逆变器
  • 工业自动化设备
  • 升压和降压转换器

6. 结论

IRFR430ATRPBF 是一款兼具高压、大电流和高效率特性的 MOSFET,适合用于多种高性能电源管理解决方案。其卓越的导通电阻和广泛的工作温度范围,使其成为工业和消费类电子应用中不可或缺的元件。凭借威世的信誉和科技积累,此器件将在电源设计中提供强有力的支持与信赖,推动电路设计的更高效率和稳定性。