FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.7 欧姆 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 490pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR430ATRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由威世(VISHAY)公司生产。该器件专为高效能、高可靠性的电源管理与开关应用而设计,具有出色的导通能力和低导通电阻,适用于广泛的工业和消费类电子产品。
IRFR430ATRPBF 采用 D-Pak 封装(TO-252-3),适合表面贴装(SMT)技术,有助于提升PCB的设计密度。D-Pak 封装不仅支持良好的散热性能,还简化了器件的自动化组装过程。
该 MOSFET 适用于多种应用,包括:
IRFR430ATRPBF 是一款兼具高压、大电流和高效率特性的 MOSFET,适合用于多种高性能电源管理解决方案。其卓越的导通电阻和广泛的工作温度范围,使其成为工业和消费类电子应用中不可或缺的元件。凭借威世的信誉和科技积累,此器件将在电源设计中提供强有力的支持与信赖,推动电路设计的更高效率和稳定性。