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IRFBC30APBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB-3
包装 :
管装
重量 :
2.66g
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W 600V 3.6A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
317(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
5.4按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.4
--
100+
￥4.32
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFBC30APBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFBC30APBF手册
无数据
IRFBC30APBF概述
产品概述：IRFBC30APBF N通道MOSFET
引言
IRFBC30APBF 是一款由威世（VISHAY）制造的高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它具有较高的漏源电压和大功率输送能力，使其在各种应用中都表现出色。此款MOSFET特别适合高电压和高电流的开关应用，广泛应用于电源管理、马达驱动和其他工业应用中。
基本参数
- FET 类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压 (Vds): 600V
- 最大连续漏极电流 (Id): 3.6A（在节温条件下）
- 驱动电压: 10V (针对最大和最小 Rds On)
- 导通电阻 (Rds On): 最大值2.2Ω @ 2.2A, 10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值4.5V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大值23nC @ 10V
- 最大栅源电压 (Vgs): ±30V
- 输入电容 (Ciss): 最大值510pF @ 25V
- 功率耗散 (Pd): 最大值74W（在节温条件下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C（结温，TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装类型: TO-220AB-3
性能与优势
高漏源电压: IRFBC30APBF 的600V漏源电压使其能够轻松处理高电压应用，尤其适用于电源和逆变器等领域。
高功率处理能力: 最大功率耗散74W，使其在高负载情况下保持稳定，适合高功率电源设计。
低导通电阻: Rds On为2.2Ω，使得在导通状态下的功耗减少，提升效率，降低过热风险，延长组件的使用寿命。
较低的栅极电荷: 栅极电荷为23nC，可减少驱动电路的功耗和复杂性，提高开关频率，从而在高频应用中表现更佳。
宽工作温度范围: 从-55°C到150°C的工作温度适应力，使其适合在极端环境中工作，增强了设计的灵活性。
通孔封装: TO-220AB的封装形式方便热管理与安装，有助于实现良好的散热性能。
应用场景
IRFBC30APBF 主要应用于以下领域：
- 电源管理: 用于开关电源和DC-DC转换器，以提高效率和降低功耗。
- 电机驱动: 在马达控制电路中，MOSFET能够实现精确的速度调节和转向控制。
- 汽车电子: 在电动汽车和混合动力车中，用于电源开关和逆变器。
- 工业设备: 用于各种自动化设备和其他工业应用中的功率开关。
总结
IRFBC30APBF 以其卓越的电气性能和宽广的应用范围，成为高电压和高功率应用中不可或缺的电子元件。其优越的技术指标提供了良好的性价比，适合大量商业与工业用途，同时在高空载条件下的高效能操作也使其成为电源设计工程师的理想选择。选择 IRFBC30APBF，您将能够在设计中利用其强大的性能与灵活性，为各类电气应用提供可靠的解决方案。