晶体管类型 | PNP - 达林顿 | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1V @ 100µA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10000 @ 100mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 220MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BCV46,215 是一款由安世半导体(Nexperia)制造的高性能 PNP 达林顿型晶体管,专为需要高电流增益和低饱和压降的应用场景而设计。这款晶体管具备出色的电气特性,包括高达 60V 的集射极击穿电压和最大集电极电流 Ic 500mA,使其适用于各种电子电路,特别是低功率放大和开关应用。
BCV46,215 适用于多种电子应用,包括但不限于:
音频放大器: 由于其高增益特性,BCV46,215 可以在音频放大器中用作前级放大元件,提升信号品质和降低噪声。
开关电路: 该晶体管的高集电极电流能力使其非常适合用于开关电路,可以有效驱动负载。
传感器与转换器: 在需要高灵敏度的传感器应用中,BCV46,215 由于其低输入电流和高增益特性,能够有效地放大传感器的微弱信号。
电源管理: 运用在电源管理电路中,其低饱和压降特性可以减少功耗,提高系统效率。
高电流增益: BCV46,215 的 DC 电流增益 (hFE) 达到 10000,确保在较低的基极电流下实现较高的集电极电流输出,极大提升了驱动能力。
低饱和压降: 饱和压降仅为 1V,能有效降低功耗,提高整体电路效率,在小型和便携设备中尤为重要。
广泛的工作温度范围: 支持高达 150°C 的工作温度,特别适合严苛环境下的应用,提升了产品的可靠性。
高频性能: 具备 220MHz 的跃迁频率,使其能够满足高频应用的需求,实现快速的开关响应。
BCV46,215 采用 TO-236AB (SOT-23-3) 封装,体积小巧,适应现代电子产品日益紧凑的设计趋势。其表面贴装型设计便于在自动化生产线上进行安装,提高了生产效率并降低了制造成本。
整体而言,BCV46,215 是一款性能卓越的 PNP 达林顿晶体管,凭借其高电流增益、低饱和电压及广泛的工作温度范围,成为多种电子应用的理想选择。无论是在音频放大、开关控制还是高频电路中,BCV46,215 都展现出极佳的适应性和效率,为技术人员和工程师提供了一个可靠的电子元件解决方案。