额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 145MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP51-16,115是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),由著名电子元器件制造商Nexperia(安世)出品。该晶体管专为各种中低功率应用设计,具有良好的电气性能和热稳定性
BCP51-16,115的额定功率为1W,能够承受较高的集电极电流,其最大值为1A。该器件的集射极击穿电压(Vce)最大值为45V,使其能够应用于多种标准电压范围的电路设计中。此外,BCP51-16,115的输入截止电流非常低,ICBO最大值仅为100nA,这使得该元件在关闭状态时的功耗几乎可以忽略不计。
BCP51-16,115在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)条件下 operat,提供了理想的Vce饱和压降,最大为500mV(在50mA和500mA下)。这种小的饱和压降意味着该晶体管在导通时会有较低的能量损失,从而提高整体效率。进一步地,在2V的工作条件下,该晶体管的DC电流增益(hFE)最低可达100(在150mA条件下),这使得该器件在需要信号放大的应用中表现出色。
BCP51-16,115在145MHz的跃迁频率范围内工作,适合于各种高频应用。这使得它在射频(RF)放大器和其他高速开关电路中具有广泛的应用潜力。该芯片的工作温度高达150°C(TJ),保证其在严苛环境下的稳定性,使其在汽车、工业设备和通信设备等领域同样具备应用可能。
BCP51-16,115采用了SOT-223封装,这是一种表面贴装型(SMD)封装,具有较小的占用空间,适合于现代轻量化和小型化的电路设计。这种封装形式还帮助提高了生产效率,能够与自动化生产线无缝集成。
BCP51-16,115的设计使其在众多应用场合中都能发挥作用,尤其在以下几类场景中表现异常优越:
BCP51-16,115以其卓越的电气性能、广泛的应用范围和高可靠性,成为设计工程师在选择PNP型晶体管时的一款理想选择。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化领域,BCP51-16,115都能够为您的设计提供稳定而高效的解决方案,助力工程师迎接技术挑战和市场需求。