FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .6nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 20pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
2N7002H6327XTSA2是一款高性能的N通道MOSFET,专为各种电子应用而设计。这款器件由英飞凌(Infineon)制造,具有卓越的电气特性和可靠性,适合在严苛的环境中运行。该产品主要用于开关应用和模拟信号处理,能够满足高性能电子系统的需求。
2N7002H6327XTSA2的功率耗散最大为500mW(Ta),该模型可以在-55°C到150°C的广泛工作温度范围内运行,满足各种工业和消费电子产品的需求。其良好的热性能使得器件可以稳定运行并延长使用寿命,特别适合那些要求长时间连续工作的应用。
该器件采用了表面贴装型封装(SOT-23-3),体积小巧,适合高密度PCB设计,便于自动化焊接。封装设计保证了良好的散热性能和电气连接可靠性,能够轻松集成到各种电子电路中。
2N7002H6327XTSA2广泛应用于多种领域,包括:
2N7002H6327XTSA2的出色规格、灵活的应用范围以及优异的电气性能,使其成为现代电子产品设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子产品,还是在高温环境下的应用,该MOSFET都能够提供可靠和高效的性能,是工程师在开发新产品时的有力助手。选用英飞凌的2N7002H6327XTSA2,您将获得稳定、高效及经济的解决方案,助力您的项目成功。