2N7002H6327XTSA2 产品实物图片
2N7002H6327XTSA2 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2N7002H6327XTSA2

商品编码: BM0000209678
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
24000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.342
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.342
--
200+
¥0.22
--
1500+
¥0.192
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

2N7002H6327XTSA2参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值).6nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20pF @ 25V
功率耗散(最大值)500mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2手册

empty-page
无数据

2N7002H6327XTSA2概述

产品概述:2N7002H6327XTSA2

基本信息

2N7002H6327XTSA2是一款高性能的N通道MOSFET,专为各种电子应用而设计。这款器件由英飞凌(Infineon)制造,具有卓越的电气特性和可靠性,适合在严苛的环境中运行。该产品主要用于开关应用和模拟信号处理,能够满足高性能电子系统的需求。

主要特性

  • FET 类型: N通道
  • 工作电压: 漏源电压(Vdss)达到60V,适用于高电压应用。
  • 漏极电流: 在25°C环境温度下,器件的连续漏极电流(Id)可达300mA,确保其在多种应用场景中稳定工作。
  • 导通电阻: 在500mA和10V的条件下,其最大导通电阻(Rds(on))为3Ω,这一低导通电阻使得器件在开关时的功率损耗得到有效降低。
  • 驱动电压: 器件在4.5V至10V的驱动电压范围内表现出色,适应多种控制信号电压。
  • 阈值电压: Vgs(th)最大为2.5V @ 250µA,意味着器件在较低的栅极电压下即可开始导通,提高了系统的灵活性。
  • 栅极电荷: 在10V下,栅极电荷(Qg)最大值为0.6nC,这确保快速开关和较低的驱动功耗。
  • 输入电容: 在25V下,输入电容(Ciss)最大为20pF,保证了良好的高频特性和信号完整性。

功率和热性能

2N7002H6327XTSA2的功率耗散最大为500mW(Ta),该模型可以在-55°C到150°C的广泛工作温度范围内运行,满足各种工业和消费电子产品的需求。其良好的热性能使得器件可以稳定运行并延长使用寿命,特别适合那些要求长时间连续工作的应用。

安装和封装

该器件采用了表面贴装型封装(SOT-23-3),体积小巧,适合高密度PCB设计,便于自动化焊接。封装设计保证了良好的散热性能和电气连接可靠性,能够轻松集成到各种电子电路中。

应用场景

2N7002H6327XTSA2广泛应用于多种领域,包括:

  • 开关电源: 作为开关元件使用,提高电源转换效率。
  • 马达驱动: 在小功率电机控制中,作为驱动信号的开关元件。
  • 信号放大: 在音频和视频设备中,作为信号放大和开关调节。
  • 电池管理系统: 用于电源切换和控制,以提高电池的使用效率。

结论

2N7002H6327XTSA2的出色规格、灵活的应用范围以及优异的电气性能,使其成为现代电子产品设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子产品,还是在高温环境下的应用,该MOSFET都能够提供可靠和高效的性能,是工程师在开发新产品时的有力助手。选用英飞凌的2N7002H6327XTSA2,您将获得稳定、高效及经济的解决方案,助力您的项目成功。