IRL7486MTRPBF
IRL7486MTRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 209A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 毫欧 @ 123A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 150µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DirectFET™ Isometric ME | 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ME |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 111nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6904pF @ 25V |
IRL7486MTRPBF手册
IRL7486MTRPBF概述
IRL7486MTRPBF 产品概述
1. 概述
IRL7486MTRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET。这款器件采用了先进的 HEXFET® 和 StrongIRFET™ 技术，专为高效能和高功率应用设计。它的封装采用了 DirectFET™ Isometric ME，这种设计允许更好的热管理和更小的占板空间，使得 IRL7486MTRPBF 在各种电子电路中表现出色，尤其在高频率和高电流应用中表现尤为突出。
2. 关键规格
IRL7486MTRPBF 的主要参数包括：
- 连续漏极电流 (Id): 最高可达 209A，适用于高负载条件。
- 漏源电压 (Vdss): 最大至 40V，适应更多中低电压应用。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动下，最大仅为 1.25毫欧，意味着在传输信号和电能时损耗极小，提高了系统的整体效率。
- 功率耗散: 最高功耗可达 104W，确保在高功率应用中的可靠性。
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，体现了其在极端环境下的稳定性。
3. 驱动和电容参数
IRL7486MTRPBF 在驱动电压上的要求也相对灵活，最小栅极驱动电压为 4.5V，最大为 10V，能够适应多种驱动电路设计。在不同 Id 和 Vgs 的条件下，其栅极电荷 (Qg) 最大值为 111nC @ 4.5V，有助于快速开关操作，降低开关损耗。同时，其输入电容 (Ciss) 在 25V 时最大为 6904pF，提供了较低的驱动功耗。
4. 应用场景
IRL7486MTRPBF 特别适用于电源转换、DC-DC变换器、电动机驱动、逆变器和大功率开关电源等应用。其高效率和高电流承载能力使其在电动车辆、工业自动化、计算机电源以及便携式设备中均可发挥重要作用。此外，凭借其耐高温及强环保性能，也适用于航空航天及军事通信等要求严格的领域。
5. 封装和安装
该器件采用 DirectFET™ Isometric ME 封装，这种表面贴装型设计有效降低了空间占用，使其易于集成到各种电路板上。DirectFET 的设计方式还能提高散热性能，确保 MOSFET 在高功率应用中能够保持稳定的工作温度，从而延长器件的使用寿命。
6. 总结
结合其卓越的电气特性和可靠的热管理，IRL7486MTRPBF 是一款极具吸引力的 N 通道 MOSFET，能够满足现代电子设备对高效、紧凑和强大电流处理能力的需求。无论是在工业、消费电子还是高功率电源方面，IRL7486MTRPBF 都是一个值得信赖的选择，为设计工程师提供了更多灵活性和可能性。