二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V |
电流 - 平均整流 (Io) | 120mA(DC) | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 40mA |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 100ps |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1µA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
BAS40E6327HTSA1是一款由著名半导体公司英飞凌(Infineon)推出的肖特基二极管,采用SOT-23-3封装。其设计旨在满足各种电子电路中对高效能和高可靠性的需求,广泛应用于电源管理、信号整流和保护电路等领域。由于其优异的特性,BAS40特别适合用于低电压和高频率的应用场景。
二极管类型:肖特基二极管以其极低的正向压降和快速开关特性而受到青睐。BAS40提供720mV的正向压降(Vf = 720mV @ 40mA),这使其在运行时具有较低的功耗和较高的能效。
电压范围:BAS40的最大直流反向电压(Vr)为40V,这使得它能在多个应用中承受适度的电压波动,保护电路免受过电压影响。
电流能力:该二极管的平均整流电流(Io)为120mA(DC),适合用于负载电流相对较低的电路设计。
快速响应:BAS40具备小信号响应速度,反向恢复时间(trr)为100ps的特性,使其在高频应用中表现出色,降低了信号失真。
反向泄漏与电容:在30V的反向电压下,其反向泄漏电流低至1µA,提升了其效率和稳定性。同时,电容参数为5pF @ 0V,1MHz,进一步增强了其在高速应用中的性能。
广泛的工作温度范围:BAS40的工作温度范围为-55°C至150°C,适合在苛刻环境条件下使用。
BAS40E6327HTSA1的设计使其非常适用于以下几种场景:
电源管理:在开关电源和电源转换器中,BAS40可以作为整流二极管使用,提供高效率的功率转换。
信号整流:在各种信号处理电路中,该二极管可以用于信号整流和保护,有效减少电路中的噪声干扰。
过压保护:由于其反向电压能力,BAS40可以有效保护敏感电路免受过压损害,确保电子设备的稳定运行。
高速通信:在需要快速切换的高速数字信号处理和数据传输中,此二极管的快速反应特性使其适合用于高频率应用。
BAS40E6327HTSA1肖特基二极管是一款极具性能与效率优势的电子元器件,凭借其优异的电气特性、快速响应和稳定的工作表现,成为了现代电子设计中不可或缺的选择。其低正向压降、低反向泄漏电流以及广泛的工作温度范围,使其十分适合于多种应用领域的需求。作为一款表面贴装型器件,BAS40的紧凑封装设计也便于在空间受限的应用中部署。
综上所述,BAS40E6327HTSA1为客户提供了高性能和高可靠性的解决方案,是现代电子工程师在设计和实施电路时的重要工具和选择。无论是在消费电子、工业设备,还是其他高科技领域,该二极管都展示了其极大的价值和应用潜力。