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IRFL024ZTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.296g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 55V 5.1A 1个N沟道 SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.69按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.69
--
100+
￥2.07
--
1250+
￥1.8
--
2500+
￥1.7
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFL024ZTRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 57.5 毫欧 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340pF @ 25V |
IRFL024ZTRPBF手册
无数据
IRFL024ZTRPBF概述
产品概述 - IRFL024ZTRPBF
制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET®
类型：N通道MOSFET
产品简介
IRFL024ZTRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，属于Infineon的HEXFET®系列。该元器件采用SOT-223封装，适合表面贴装，广泛应用于功率管理、开关电源及各种电子设备中。凭借其卓越的电压和电流性能，IRFL024ZTRPBF是电源设计师和工程师的理想选择。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 55V
- 连续漏极电流 (Id): 5.1A (在25°C环境温度下)
- 驱动电压 (Vgs): 最大值为±20V
- 导通电阻 (Rds(on)): 57.5毫欧 (在Id=3.1A，Vgs=10V时)
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V (在250µA的漏电流条件下)
- 功率耗散: 最大值为1W (在环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C至150°C (结温TJ)
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为14nC (在Vgs=10V时)
- 输入电容 (Ciss): 最大值为340pF (在Vds=25V时)
结构与封装
IRFL024ZTRPBF采用SOT-223封装设计，具有紧凑的体积和高度的可靠性，非常适合有限空间的电路板设计。该封装支持表面贴装技术，简化了组装和焊接工艺，提高了生产效率。
应用场景
IRFL024ZTRPBF MOSFET的特性使其适用于各种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：利用其高频开关能力和低导通电阻，显著提高转换效率。
- DC-DC转换器：在不同电压之间有效调节功率，确保设备高效运行。
- 电机驱动：控制电机的启停及转速调节，实现对电动机的精确控制。
- 电源管理：广泛应用于各种电子产品中，实现过流保护和其他电源管理功能。
- LED驱动电路：可用于高效的LED驱动电路，增强照明效果。
性能优势
- 高效能：因其低导通电阻和高最大漏源电压，IRFL024ZTRPBF MOSFET能够有效降低能量损耗，提升整体电路效率。
- 宽广的工作温度范围：该MOSFET可以在恶劣环境下稳定工作，适用于汽车电子、工业设备等高温应用场合。
- 高可靠性：基于Infineon的先进制造工艺，IRFL024ZTRPBF在长期使用中展现出良好的热稳定性和电气耐受性。
- 易于驱动：较低的栅极电荷简化了驱动电路的设计，实现了更快速的开关性能，适合高速应用。
结论
IRFL024ZTRPBF是一款可靠且高效的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性和灵活的应用范围，成为现代电源管理和开关应用中的重要选择。无论是在设计新产品，还是在升级现有设备，IRFL024ZTRPBF都能提供强大的性能支持，帮助科技工程师实现更高效、紧凑的电路设计。选择IRFL024ZTRPBF，无疑是您追求高性能和高可靠性电子元器件的明智之选。