DMN67D8LDW-7

产品概述：DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7是一款由美台半导体（DIODES）公司生产的高性能N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要应用于低功耗开关、电源管理和信号调理等领域。这款双N通道FET在设计上充分考虑了各种电子设备的需求，适用于相对宽广的应用场景，包括便携式设备、通信设备和消费电子产品等。

基础参数

• FET 类型：双N-通道
• FET 功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，DMN67D8LDW-7能够支持高达230mA的连续漏极电流，使其适用于多种需要稳定电流输出的应用。
• 导通电阻（Rds(on)）：在给定的条件下，设备的导通电阻最大值为5Ω（在500mA和10V下）。这一低导通电阻特性使得DMN67D8LDW-7能够在大电流传输过程中有效降低功耗。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.5V，这意味着它在较低的栅极电压下就能开始导通，便于与多种控制信号兼容。
• 栅极电荷（Qg）：栅极电荷量为0.82nC（在10V下），这表明其在开关转换时具有较低的栅极驱动需求，能够提升开关频率效率。
• 输入电容（Ciss）：最大输入电容为22pF（在25V下），确保高频应用时具良好的响应速度。

功能特性

这种MOSFET具有高工作温度范围，从-55°C到150°C的工作环境能够确保设备在极端条件下的可靠性，适合于航空航天、汽车和工业控制等高要求应用。此外，其最大功耗为320mW，使该产品在多种应用中能够稳定工作，避免因过热而造成的失效。

封装与安装

DMN67D8LDW-7采用6-TSSOP封装（SOT-363），这一表面贴装型设计提供了优良的散热性能和节省空间的优势，适合于现代小型电子设备的设计要求。其小巧的尺寸使其能够轻松集成在各种PCB设计中，无论是对于紧凑型设备还是高密度电路板。

应用领域

静态耗电低及导通电阻小的特性，使DMN67D8LDW-7非常适用于以下应用场景：

• 便携式设备：如智能手表、移动电话等产品中，MOSFET可以作为功率开关，帮助实现高效的电源管理。
• 电源转换：在DC-DC转换器、LED驱动和电源管理单元中，DMN67D8LDW-7能够控制功率流动，提高效率。
• 通信设备：在信号调理和开关电路中，可以通过快速开关特性提升传输效率和信号完整性。
• 汽车电子：由于其高耐温特性，适合用于车用电子设备，例如电动车的动力系统及控制模块。

总结

总之，DMN67D8LDW-7是一款设计先进、性能卓越的双N通道MOSFET，适合于各种电子应用。其出色的性能指标和可靠性，使得它成为电子领域中不可或缺的元件之一，为产品提供了高效的电源管理方案。