功率(Pd) | 800mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 24pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 38mΩ@10V,4.3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.1nC |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 216pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 4.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@3.5A |
型号:DMP2100UQ-7
品牌:DIODES(美台)
类型:P沟道场效应管(MOSFET)
最大功耗:800 mW
最大漏源电压(Vds):20 V
最大漏电流(Id):4.3 A
封装类型:SOT-23
DMP2100UQ-7是一款高性能的P沟道MOSFET,专门设计用于需要高效功率控制的应用。其最大漏源电压(Vds)为20V,能够满足大多数低压电源管理和开关应用的要求。其最大漏电流(Id)为4.3A,使其适用于较高电流的输出场合。
该MOSFET的800mW功耗使其在不同工作条件下依然能够保持较好的散热性能。同时,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的功率损耗较低,从而提高了整体效率。
SOT-23封装设计的DMP2100UQ-7提供了小体积和轻重量的设计优势,非常适合空间受限的应用,如便携式设备和嵌入式系统。这种封装不仅有助于减小产品的整体尺寸,同时也支持高密度组装,提升了产品的设计灵活性。
DIODES品牌在电子元器件行业内享有良好的声誉,其产品经过严格的质量检测,确保产品在各种环境下的稳定性。DMP2100UQ-7具有较好的热稳定性和耐压特性,可以有效抵御过流和过压带来的风险,提升了电路的整体可靠性。
DMP2100UQ-7适用于各种应用领域,具体包括但不限于:
电源管理:在开关电源、DC-DC转换器中,DMP2100UQ-7可用作高效的开关元件,确保电源的高能效和稳定性。
负载开关:在各种电子设备中,DMP2100UQ-7可作为负载开关元件,控制高电流负载的通断,满足快速开关需求。
电机控制:可用于低功耗电机驱动电路中,控制电机启停,或调节电机速度,符合现代自动化与智能设备的发展需求。
汽车电子:在汽车电子系统中,DMP2100UQ-7可以用于电机驱动、灯光控制等应用,提高汽车的电能利用效率。
消费电子:在蓝牙音响、智能家居以及其他智能产品中,DMP2100UQ-7对于提高产品的功率效率和降低热量发散具有显著效果。
综上所述,DMP2100UQ-7是一款高效且可靠的P沟道MOSFET。其在20V、4.3A的优越性能,使其成为电源管理和负载切换等应用的理想选择。小巧的SOT-23封装及其高功率密度,进一步增强了其在现代紧凑型电路设计中的适用性。
总体来看,DMP2100UQ-7不仅在技术参数上表现出色,更在多样化的应用场景中具备相当强的适应能力,对于设计工程师来说,它是一款极具价值的电子元器件选择。选择DMP2100UQ-7,将为您的项目带来高效的能量管理和高可靠性的性能保障。