DMP2100UQ-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMP2100UQ-7

商品编码: BM0000208807
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 800mW 20V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.644
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.644
--
200+
¥0.416
--
1500+
¥0.362
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMP2100UQ-7参数

功率(Pd)800mW反向传输电容(Crss@Vds)24pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@10V,4.3A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)9.1nC
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)216pF@15V连续漏极电流(Id)4.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@3.5A

DMP2100UQ-7手册

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DMP2100UQ-7概述

DMP2100UQ-7 产品概述

一、产品基本信息

型号:DMP2100UQ-7
品牌:DIODES(美台)
类型:P沟道场效应管(MOSFET)
最大功耗:800 mW
最大漏源电压(Vds):20 V
最大漏电流(Id):4.3 A
封装类型:SOT-23

二、产品特点

DMP2100UQ-7是一款高性能的P沟道MOSFET,专门设计用于需要高效功率控制的应用。其最大漏源电压(Vds)为20V,能够满足大多数低压电源管理和开关应用的要求。其最大漏电流(Id)为4.3A,使其适用于较高电流的输出场合。

1. 高效能

该MOSFET的800mW功耗使其在不同工作条件下依然能够保持较好的散热性能。同时,其低导通电阻(Rds(on))确保了在导通状态下的功率损耗较低,从而提高了整体效率。

2. 小型封装

SOT-23封装设计的DMP2100UQ-7提供了小体积和轻重量的设计优势,非常适合空间受限的应用,如便携式设备和嵌入式系统。这种封装不仅有助于减小产品的整体尺寸,同时也支持高密度组装,提升了产品的设计灵活性。

3. 可靠性

DIODES品牌在电子元器件行业内享有良好的声誉,其产品经过严格的质量检测,确保产品在各种环境下的稳定性。DMP2100UQ-7具有较好的热稳定性和耐压特性,可以有效抵御过流和过压带来的风险,提升了电路的整体可靠性。

三、应用领域

DMP2100UQ-7适用于各种应用领域,具体包括但不限于:

  1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器中,DMP2100UQ-7可用作高效的开关元件,确保电源的高能效和稳定性。

  2. 负载开关:在各种电子设备中,DMP2100UQ-7可作为负载开关元件,控制高电流负载的通断,满足快速开关需求。

  3. 电机控制:可用于低功耗电机驱动电路中,控制电机启停,或调节电机速度,符合现代自动化与智能设备的发展需求。

  4. 汽车电子:在汽车电子系统中,DMP2100UQ-7可以用于电机驱动、灯光控制等应用,提高汽车的电能利用效率。

  5. 消费电子:在蓝牙音响、智能家居以及其他智能产品中,DMP2100UQ-7对于提高产品的功率效率和降低热量发散具有显著效果。

四、整体评估

综上所述,DMP2100UQ-7是一款高效且可靠的P沟道MOSFET。其在20V、4.3A的优越性能,使其成为电源管理和负载切换等应用的理想选择。小巧的SOT-23封装及其高功率密度,进一步增强了其在现代紧凑型电路设计中的适用性。

总体来看,DMP2100UQ-7不仅在技术参数上表现出色,更在多样化的应用场景中具备相当强的适应能力,对于设计工程师来说,它是一款极具价值的电子元器件选择。选择DMP2100UQ-7,将为您的项目带来高效的能量管理和高可靠性的性能保障。