MUN5235DW1T1G
MUN5235DW1T1G参数
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
MUN5235DW1T1G手册
MUN5235DW1T1G概述
MUN5235DW1T1G 产品概述
MUN5235DW1T1G 是一款功能强大的双NPN预偏置数字晶体管，专为高效能和高可靠性而设计。其提供出色的电流放大和开关性能，使其成为各种电子应用的理想选择。这款晶体管广泛适用于数字电路、开关电源、信号放大和逻辑电路等多种场景。以下是对该产品的详细解析。
基本参数
晶体管类型: MUN5235DW1T1G是一个集成了两个NPN晶体管的预偏压式设备。由于其预偏置设计，使得装置可以在较低的基极电流下获得较高的集电极电流，这是非常适合数字电路应用的特性。
电流与电压: 该晶体管的最大集电极电流 (Ic) 为100mA，适用于中等电流负载的应用。其集射极击穿电压（Vce）最大为50V，这为设计者提供了广泛的电压操作范围，适用于大多数低压至中压电路。
电阻与增益: 为确保数字信号的准确传递，MUN5235DW1T1G的基极电阻（R1）为2.2千欧，发射极电阻（R2）为47千欧。在正常工作条件下，具有不同Ic、Vce时的直流电流增益（hFE）最小值为80（在5mA，10V条件下）。这意味着在相对较小的输入信号下，它可以有效地控制较大的输出电流，表现出良好的放大性能。
饱和压降: 在小信号条件下，Vce的饱和压降（最大值）为250mV（在300µA和10mA的同时条件下）。这一特性非常重要，尤其是在开关电路中，可以保证更高的效率和更低的功耗。
集电极截止电流: 该产品的最大集电极截止电流为500nA，显示出优秀的关断特性，帮助避免可能的不必要电流损耗，这对于电池供电的设备特别关键。
功率与封装
MUN5235DW1T1G的最大功耗达250mW，确保在适用的条件下不易过热。这使得它适合于高密度的集成电路和多功能电子设备的应用。
安装类型与封装: MUN5235DW1T1G采用表面贴装类型（SMD）设计，封装形式为6-TSSOP、SC-88、SC-70-6、SOT-363。其小巧的封装非常适合现代电子设备如手机、平板电脑及各种可穿戴设备，能够满足对空间和重量的严格要求。
应用领域
MUN5235DW1T1G的应用场景非常广泛，其可以用于：
- 数字电路：例如逻辑电平转换、高速开关
- 信号放大：适合于低电平信号的放大应用
- 开关电源：用作高频开关和调制
- 驱动电路：驱动小功率电机、继电器等
结论
总之，MUN5235DW1T1G是一款具有优秀性能和广泛应用前景的数字晶体管。其高效的电流增益、低饱和压降以及小型封装使得它成为现代电子设计中的一个重要组件。无论是用于家电、消费电子还是工业应用，这款晶体管都展现出了卓越的性能和极佳的性价比。选择MUN5235DW1T1G，您将获得可靠的电子解决方案，助力您的产品实现更高的效率和性能目标。