制造商 | Infineon Technologies | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.9 欧姆 @ 190mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.1 nC @ 7 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 51 pF @ 25 V | 功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
BSS169IXTSA1 是由知名半导体制造商英飞凌(Infineon Technologies)生产的一款高性能 N 通道 MOSFET(场效应管),广泛应用于各种电子设备和电路中。该产品的设计旨在提供优异的电气性能,是低功耗开关应用和信号控制的理想选择。其独特的参数设计使其在工业、汽车及消费电子领域得到了广泛的应用。
BSS169IXTSA1 的设计使其能够在多种应用中展现出优良的性能,诸如:
综上所述,BSS169IXTSA1 以其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,成为了电子设计中不可或缺的基础元件。其高效能、可靠性及灵活性,使其适用于各种高级应用场合,无论是新产品开发还是传统电子设备的升级改造,BSS169IXTSA1 都能够提供稳定的性能和强大的支持。