注：图像仅供参考，请参阅产品规格
MC1413BDR2G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
16-SOIC
包装 :
编带
重量 :
0.318g
描述 :
达林顿晶体管阵列 -40℃~+85℃ 500mA SOIC-16
库存 :
2798(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.76按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.76
--
100+
￥1.36
--
1250+
￥1.18
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
MC1413BDR2G参数
| 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 500µA，350mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
MC1413BDR2G手册
无数据
MC1413BDR2G概述
MC1413BDR2G 产品概述
一、产品简介
MC1413BDR2G是一款高性能NPN达林顿晶体管阵列，主要设计用于高电流和高增益的应用。这款器件由安森美（ON Semiconductor）制造，具备高达500mA的集电极电流（Ic）和最高50V的集射极击穿电压（Vce）。它的工作温度范围为-40℃至+85℃，表明其在各种环境条件下的可靠性和耐用性。此外，MC1413BDR2G采用16-SOIC封装，适合表面贴装技术（SMT），使其在自动化生产线上易于使用和安装。
二、主要参数
- 类型: NPN达林顿晶体管
- 集电极电流 (Ic) 最大值: 500mA
- 集射极击穿电压 (Vce) 最大值: 50V
- Vce饱和压降（最大值）: 在500µA和350mA时，分别为1.6V
- 直流电流增益 (hFE) 最小值: @350mA时为1000
- 工作温度: -40℃至+150℃
- 封装类型: 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
三、产品特点
高集电极电流与增益: MC1413BDR2G通过其高达500mA的集电极电流和≥1000的直流电流增益，为各种应用提供了强大的驱动能力，尤其适用于需要高功率输出的电路。
低饱和压降: 在工作中，器件的饱和压降最大为1.6V，这保证了其在高电流下依然能保持较低的功耗和较好的转换效率，适用更为严格的能源要求。
宽工作温度范围: 从-40℃到+85℃的工作温度范围，表明其适用于工业、汽车和消费电子等多种应用，可以有效应对各种环境挑战。
表面贴装封装: 16-SOIC封装设计适合现代PCB设计标准，能够在集成度高的小型设备中应用，有效节省空间及简化安装过程。
四、应用场景
MC1413BDR2G因其优越的电流和电压特性，广泛应用于以下领域：
- 功率放大: 适用于音频放大器和射频放大器中作为驱动级元件。
- 开关电源: 在开关电源设计中用于高频开关控制，可提供快速响应。
- 驱动电路: 可用于驱动继电器、电机等负载的控制电路，满足大电流的需求。
- 线性调节器: 在线性稳压器中作为输出级可实现高电流驱动，确保负载稳定供电。
- 信号处理: 在各种信号处理的应用中，通过高增益特性可提高信号强度。
五、总结
MC1413BDR2G是一款针对需要高电流驱动和高增益特性的应用设计的NPN达林顿晶体管阵列。无论是在工业控制、汽车电子还是消费电子领域，这款元件都能提供可靠的性能和卓越的效率。通过其优秀的电气参数和适应广泛环境的能力，MC1413BDR2G使得设计工程师能够在各种应用中轻松实现其设计目标。