STL13N60M6
STL13N60M6参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ M6 |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 415 毫欧 @ 3.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6）HV | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
STL13N60M6手册
STL13N60M6概述
STL13N60M6 产品概述
STL13N60M6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 MDmesh™ M6 系列。该系列 MOSFET 设计用于满足现代功率电子应用的需求，特别是在高效能和高温工作环境下的应用。具有低导通电阻和高电流负载能力，该器件适用于各种需要电源开关和功率管理的场景。
关键特性
工作电压和电流能力： STL13N60M6 的漏源电压（Vdss）达到 600V，使其适用于多种高电压应用。其连续漏极电流（Id）可达 7A（在 25°C 时），为高电流负载提供了可靠支持。
导通电阻： 本器件在 10V 驱动电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为 415 毫欧（在 3.5A 时），这为降低功率损耗提供了良好的支持，并增强了能效比。
阈值电压： STL13N60M6 的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.75V（在 250µA 时），使其能够与较低电压的驱动信号兼容，提升设计的灵活性。
功耗和热管理： 器件的最大功率耗散能力为 52W（在 Tc 条件下），在高温应用中表现出色。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，能够适应严苛的环境条件，尤其在工业和汽车电子等领域。
封装与安装： STL13N60M6 采用的 PowerFlat™（5x6）封装实现了紧凑型设计，具备良好的散热能力，适合表面贴装（SMD）工艺，有利于电子设备的小型化。
电绝缘和安全边际： 该器件的最大 Vgs 为 ±25V，提供了安全的电气绝缘，减少了在设计中的故障风险，并能经受瞬时过电压的冲击。
应用场景
STL13N60M6 N 通道 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：用于开关电源及高效变换器中，帮助优化能量转换效率。
- 电机驱动系统：作为电动机控制电路中的开关元件，能够有效控制电机的启停与调速。
- 汽车电子：在汽车内部的电源分配与管理模块中，承担功率开关的角色。
- 工业控制：在工业自动化设备中，提供高效的开关控制。
- LED 驱动：为LED灯具提供恒流驱动，确保光源的稳定性和寿命。
总结
总的来说，STL13N60M6 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压和电流能力、低导通电阻、宽泛的工作温度范围，以及良好的热管理特性，成为现代电子设计中的理想组件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业应用中，该器件都展现出强大的性能和可靠性，是设计师在选择功率开关时不可或缺的选择。凭借意法半导体的前沿技术，STL13N60M6 定会为用户带来更高的设计灵活性与系统效率。