DMN3025LSS-13

DMN3025LSS-13 产品概述

概述

DMN3025LSS-13 是一款由 DIODES（美台）公司制造的 N 通道 MOSFET，采用流行的 SO-8 封装。这款场效应管具有出色的电性能，适用于多种电子应用，特别是在需要高效率和低导通电阻的场合。其标称漏源电压为 30V，连续漏极电流达到 7.2A，适应广泛工作条件。

技术参数

1. FET 类型与技术:

   • 本器件为 N 通道 MOSFET，基于金属氧化物半导体技术，能够在低驱动电压下实现优异的开关性能。

2. 漏源电压（Vdss）:

   • 器件的漏源电压最高可达 30V，足以满足大多数低压应用的需求。

3. 连续漏极电流（Id）:

   • 在 25°C 的环境下，DMN3025LSS-13 可安全承载高达 7.2A 的漏极电流，这使其可以用于负载电流较大的场合，如电机驱动、开关电源等。

4. 导通电阻（Rds On）:

   • 器件在 10A 电流、10V 驱动条件下，最大导通电阻为 20 毫欧，表现出色，能够有效降低能量损耗和发热。

5. 门源阈值电压（Vgs(th)）:

   • 对于 250µA 的漏电流，最大阈值电压为 2V，这使得 DMN3025LSS-13 在较低的栅极电压下便可开启，适合逻辑电平控制。

6. 驱动电压:

   • 为了达到最小 Rds On，推荐栅极驱动电压为 4.5V 至 10V，这样可优化导通性能。

7. 栅极电荷（Qg）:

   • 器件在 10V 驱动条件下的栅极电荷为 13.2nC，显示出其开关速度快，适合用于高频应用。

8. 输入电容（Ciss）:

   • 最大输入电容为 641pF，在 15V 时测得，此特性对于设计开关电源和类比信号处理电路具有重要意义。

9. 功率耗散（Pd）:

   • 最大功率耗散为 1.4W，适合在温和的环境下使用，最大工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应恶劣的工作环境。

10. 封装与尺寸:

    • DMN3025LSS-13 采用 SO-8 封装（0.154" / 3.90mm 宽），方便表面贴装，适合现代电子产品的设计需求。

应用领域

DMN3025LSS-13 由于其高效率和良好的电气特性，特别适合以下应用：

1. 开关电源: 适用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源适配器，并可提高转换效率。

2. 电机驱动: 可用于直流电机和步进电机控制，尤其在自动化和机器人领域中。

3. 照明控制: 可用于LED驱动和特定照明应用中，以实现高效节能的控制。

4. 消费者电子: 道路、电脑、以及其他消费电子产品中的开关控制，降低功耗。

5. 电源管理: 在各种电源管理应用中表现优秀，如电池管理及充电系统。

总结

DMN3025LSS-13 是一款卓越的 N 通道 MOSFET 选型，兼具高性能与低功耗，适合多种电子产品的应用需求。随着电子设备向小型化、高效能发展，DMN3025LSS-13 将是设计工程师在电源管理、开关电路等领域的可靠选择。无论是工业控制、消费电子还是汽车电子，该器件都能为高效设计提供强有力的支持。