DMN3026LVT-7
DMN3026LVT-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 643pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMN3026LVT-7手册
DMN3026LVT-7概述
DMN3026LVT-7 产品概述
DMN3026LVT-7 是由美台（DIODES）公司推出的一款高效能 N 通道 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中，是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。该元器件设计用于处理中等电压和电流，具有卓越的性能和高度的可靠性，非常适合用于开关电源、功率管理和马达驱动等应用。
核心参数
漏源电压（Vds）：DMN3026LVT-7 的漏源电压可达30V，适合中低电压应用，能够轻松适应大多数家电和工业设备中的电流控制需求。
连续漏极电流（Id）：该器件在25°C的环境下，能够提供最大连续漏极电流为6.6A，保证在适当的散热条件下可稳定工作，满足高负载的要求。
导通电阻：在10V的栅极驱动电压下，DMN3026LVT-7 的导通电阻（Rds On）最大为23毫欧，确保在导通时能有效降低功率损耗，提高系统的能效，这是设计高效电源管理的关键因素。
驱动电压：此款MOSFET支持在4.5V到10V的驱动电压范围内可靠工作，灵活匹配多种驱动电路设计需求，特别是在低压驱动和高效率转换应用场景中表现优异。
栅极电荷：器件的栅极电荷（Qg）在10V时为最大12.5nC，表明其在开关操作时快速响应，适合高频操作条件。
工作温度及功率耗散：DMN3026LVT-7 的工作温度范围广泛，能够在-55°C到150°C的环境中稳定工作，加上1.2W的功率耗散上限，使其在高温环境下仍然能够安全运行。
封装与安装
DMN3026LVT-7采用TSOT-26表面贴装封装，尺寸紧凑，有助于在空间有限的应用中节省板上空间。其SOT-23-6细型封装设计，适合贴片工艺，这使得其能够便捷地集成到各种电子电路中。该封装形式还有效提高了散热性能，适合高密度安装。
应用场景
DMN3026LVT-7 非常适合用于多种电子应用场景，包括但不限于：
- DC-DC转换器：在开关电源中用于高效转换，极大提升整体能效；
- 电机驱动：作为电机控制电路中的开关元件，提高马达的工作效率；
- LED驱动电路：在LED照明中应用，实现LED的高效驱动；
- 消费电子：用于各种消费类产品中，例如便携式设备和家用电器。
结论
总的来说，DMN3026LVT-7 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，以其出色的电气特性和可靠性，成为现代电源管理解决方案中的优选元件。其适中的电压和电流规格，加上高效的导通性能，使得该器件在众多电子产品中都有广泛的应用前景。无论是在产品设计的初期选型还是在最终的性能优化阶段，DMN3026LVT-7 都展示了其卓越的性能，有望为电子工程师带来更高的设计自由度和灵活性。