晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 100mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 500mA,10V |
功率 - 最大值 | 625mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363 |
DSS8110Y-7 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-363 封装,适用于表面贴装应用。这款晶体管具有优良的电气特性和宽广的应用范围,主要用于开关、放大器和信号处理等电子电路中。
DSS8110Y-7 的设计使其在多个领域都具有广泛的应用潜力,特别是在以下场合中发挥重要作用:
开关电源: 由于其高电流处理能力和低饱和压降,DSS8110Y-7 适合用作电源管理电路中的开关器件。
放大器电路: 由于其良好的电流增益特性,该晶体管可以成为音频放大器、射频放大器和其他信号处理设备的关键组成部分。
射频信号处理: 具备 100MHz 的频率响应,DSS8110Y-7 特别适合射频应用,如无线通信设备中的发射和接收电路。
小型化电子设备: SOT-363 的封装使其非常适用于空间受限的设计,如便携式电子设备、智能手机和可穿戴技术。
工业控制: 可在各种工业控制和自动化设备中找到它的身影,其中涉及电机驱动和开关控制。
DSS8110Y-7 是一款具备高可靠性和多功能、高性价比的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性和广泛的应用领域,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,DSS8110Y-7 都能提供优质的性能和灵活的设计方案,是推动电子技术进步的重要助力。