DSS8110Y-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DSS8110Y-7

商品编码: BM0000178875
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT363
包装 : 
编带
重量 : 
0.016g
描述 : 
三极管(BJT) 625mW 100V 1A NPN SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.555
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.555
--
200+
¥0.358
--
1500+
¥0.312
--
3000+
¥0.276
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS8110Y-7参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)200mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,10V
功率 - 最大值625mW频率 - 跃迁100MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装SOT-363

DSS8110Y-7手册

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DSS8110Y-7概述

DSS8110Y-7 产品概述

一、产品基本信息

DSS8110Y-7 是一款高性能的 NPN 型双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),由 DIODES(美台)公司制造,采用 SOT-363 封装,适用于表面贴装应用。这款晶体管具有优良的电气特性和宽广的应用范围,主要用于开关、放大器和信号处理等电子电路中。

二、技术规格

  1. 晶体管类型: NPN
  2. 集电极电流 (Ic): 最大值 1A,适用于中等负载的应用。
  3. 集射极击穿电压 (Vceo): 最大值 100V,使其能够处理较高的电压应用。
  4. Vce 饱和压降: 在特定工作条件下,最大值为 200mV @ 100mA,1A,提供了低功耗和高效率的性能。
  5. 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为 100nA,确保在关闭状态下的低漏电流,有助于提高器件的可靠性。
  6. 直流电流增益 (hFE): 在 500mA、10V 条件下,最小值为 100,表示该晶体管具有良好的放大特性。
  7. 功率处理能力: 最大 625mW 的功率,使其适合多种应用场景。
  8. 频率特性: 具有 100MHz 的跃迁频率,适合快速开关应用。
  9. 工作温度范围: -55°C 至 150°C 的宽泛工作温度,使其适应苛刻的工作环境。
  10. 封装类型: SOT-363,便于表面贴装,提高了设计的空间利用率。

三、应用场景

DSS8110Y-7 的设计使其在多个领域都具有广泛的应用潜力,特别是在以下场合中发挥重要作用:

  1. 开关电源: 由于其高电流处理能力和低饱和压降,DSS8110Y-7 适合用作电源管理电路中的开关器件。

  2. 放大器电路: 由于其良好的电流增益特性,该晶体管可以成为音频放大器、射频放大器和其他信号处理设备的关键组成部分。

  3. 射频信号处理: 具备 100MHz 的频率响应,DSS8110Y-7 特别适合射频应用,如无线通信设备中的发射和接收电路。

  4. 小型化电子设备: SOT-363 的封装使其非常适用于空间受限的设计,如便携式电子设备、智能手机和可穿戴技术。

  5. 工业控制: 可在各种工业控制和自动化设备中找到它的身影,其中涉及电机驱动和开关控制。

四、产品优势

  • 高效率和低功耗: DSS8110Y-7 在开关模式下具有低饱和压降,有助于降低整体能耗。
  • 宽温工作范围: 能够在极端环境下稳定工作,提高了其应用的灵活性。
  • 优秀的电流增益: 满足多种放大需求,是设计高性能电子设备的理想选择。
  • 小型封装: 适应现代电子产品对小型化的追求,便于高速电路设计。

五、结论

DSS8110Y-7 是一款具备高可靠性和多功能、高性价比的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性和广泛的应用领域,成为了现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,DSS8110Y-7 都能提供优质的性能和灵活的设计方案,是推动电子技术进步的重要助力。