晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
型号:DDTA114EE-7-F
类型:PNP预偏置数字晶体管
封装:SOT-523
品牌:DIODES(美台)
绝对最大额定值:
DDTA114EE-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏置数字晶体管,采用 SOT-523 封装。这种晶体管以其较小的体积和优良的电气性能,广泛应用于各种电子产品的线路中。它具有较高的电流增益和较低的饱和压降,非常适合用作信号放大、开关控制以及其他需要高增益和低功耗的应用场合。
该元器件在多种工作条件下表现出色。在5V电压和5mA电流下,最小DC电流增益(hFE)为30,这使得它在小信号放大应用中表现得尤为出色。此外,DDTA114EE-7-F 在较低电流的运行下,保持了卓越的性能,适用于广泛的电路设计。
DDTA114EE-7-F 产品凭借其出色的参数特性,广泛应用于以下场景:
在使用 DDTA114EE-7-F 时,设计工程师必须注意其最大额定值,确保工作在安全范围内,以避免损坏元件。同时,为了有效的散热,尤其是在高工作频率和高电流条件下,应合理安排电路布局和热管理。
DDTA114EE-7-F是一款性能优良、应用广泛的PNP预偏置数字晶体管,特别适合高频率和低功耗的应用场合,能够为设计者提供设计上的便利和整机性能的提升。无论是在消费电子领域,还是工业应用中,其可靠性和出色的电气性能都表现出了非常好的性价比。对于追求高性能的电路设计者而言,DDTA114EE-7-F无疑是一个优秀的选择。