DDTA114EE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA114EE-7-F

商品编码: BM0000178861
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523-3
库存 :
1533(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.302
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.302
--
200+
¥0.195
--
1500+
¥0.17
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA114EE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值150mW
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523

DDTA114EE-7-F手册

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DDTA114EE-7-F概述

产品概述:DDTA114EE-7-F

型号:DDTA114EE-7-F
类型:PNP预偏置数字晶体管
封装:SOT-523
品牌:DIODES(美台)
绝对最大额定值

  • 集电极电流 (Ic):最大100mA
  • 集射极击穿电压 (Vceo):最大50V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):最大300mV @ 500µA,10mA
  • 集电极截止电流 (Ic (off)):最大500nA
  • 功率耗散:最大150mW
  • 工作频率:250MHz

产品描述

DDTA114EE-7-F 是一款高性能的 PNP 预偏置数字晶体管,采用 SOT-523 封装。这种晶体管以其较小的体积和优良的电气性能,广泛应用于各种电子产品的线路中。它具有较高的电流增益和较低的饱和压降,非常适合用作信号放大、开关控制以及其他需要高增益和低功耗的应用场合。

核心参数

该元器件在多种工作条件下表现出色。在5V电压和5mA电流下,最小DC电流增益(hFE)为30,这使得它在小信号放大应用中表现得尤为出色。此外,DDTA114EE-7-F 在较低电流的运行下,保持了卓越的性能,适用于广泛的电路设计。

应用领域

DDTA114EE-7-F 产品凭借其出色的参数特性,广泛应用于以下场景:

  1. 信号放大:由于其较高的电流增益,适合用于音频信号和其他微弱信号的放大电路。
  2. 开关电路:在低功耗开关应用中表现优异,是高频开关电路和数字电路的理想选择。
  3. 音频和视频设备:可用于音频放大器和视频信号放大电路,提高信号的质量和稳定性。
  4. 便携式设备:其小巧的SOT-523封装使得产品适合于智能手机、手表及其他便携式电子产品。
  5. 功率管理:在功率顺序控制和电源管理方面,能有效地进行信号的切换与调节。

使用注意事项

在使用 DDTA114EE-7-F 时,设计工程师必须注意其最大额定值,确保工作在安全范围内,以避免损坏元件。同时,为了有效的散热,尤其是在高工作频率和高电流条件下,应合理安排电路布局和热管理。

优势总结

  1. 高增益:hFE达到30,能有效提高信号放大性能。
  2. 低功耗:饱和压降低至300mV,适合低功耗电路设计。
  3. 高频性能:具备250MHz的跃迁频率,满足各类高速信号处理的需求。
  4. 小型化设计:SOT-523封装适合空间受限的产品设计,能够大幅度缩减电路板的使用面积。
  5. 可靠性:DIODES作为知名元器件制造商,其产品质量和可靠性有保障,能够有效支持长时间的稳定运行。

结论

DDTA114EE-7-F是一款性能优良、应用广泛的PNP预偏置数字晶体管,特别适合高频率和低功耗的应用场合,能够为设计者提供设计上的便利和整机性能的提升。无论是在消费电子领域,还是工业应用中,其可靠性和出色的电气性能都表现出了非常好的性价比。对于追求高性能的电路设计者而言,DDTA114EE-7-F无疑是一个优秀的选择。