类型 | 齐纳 | 双向通道 | 2 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 6V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 6A(8/20µs) |
功率 - 峰值脉冲 | 84W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 15pF @ 1MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-523 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
D5V0L2B3T-7是一款由美台半导体(DIODES)公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS)。该器件设计用于保护敏感电子元件免受瞬态过电压和静电放电(ESD)事件的影响。其紧凑的SOT-523封装使其适用于各种空间有限的应用。
齐纳特性:D5V0L2B3T-7为齐纳二极管,具有双向通道,能够在正向和反向极性下有效工作,其反向断态电压典型值为5V,最大为6V。这使得它非常适合需要较低击穿电压的应用场合。
击穿电压:该器件的最小击穿电压为6V,提供了可靠的过电压保护能力。即使在瞬态或突发情况下,也能迅速反应并钳制电压,达到保护效果。
脉冲特性:在特定条件下,该器件支持高达6A的峰值脉冲电流(10/1000µs),并且在8/20µs的时间框架内保持84W的峰值功率能力。这意味着D5V0L2B3T-7能够抵御较强的瞬态脉冲,保护后端电路运行的安全性和稳定性。
电容特性:在1MHz频率下,该器件的电容约为15pF,这是一个相对较低的数值,适合高速信号的应用,减少信号衰减和失真。
D5V0L2B3T-7能够在-65°C至150°C的宽温度范围内工作,适用于各类商业和工业环境。这种广泛的温度适应性使其在温度波动较大的应用场景中表现出色,确保长期稳定运行。
该器件采用表面贴装(SMT)式安装,封装类型为SOT-523。紧凑的设计非常适合现代电子产品的发展趋势,尤其是在智能手机、平板电脑和各种便携式设备等空间限制较大的产品中广泛应用。
D5V0L2B3T-7被广泛应用于电子设备的电源线保护、数据线保护及信号线路保护等场景。它不仅适用于计算机、消费类电子产品,还可以在通讯设备及工业控制系统中发挥重要作用。
D5V0L2B3T-7凭借其高效的瞬态电压抑制能力、广泛的工作温度范围和低电容,满足了市场上对二极管日益增强的性能需求。同时,美台作为一个可靠的半导体品牌,其产品质量和技术支持也为客户提供了额外的信心。
综上所述,D5V0L2B3T-7是一款高性能、广泛应用的TVS二极管,凭借其优越的电气特性、卓越的热稳定性和紧凑的封装,成为现代电子设备中的理想选择。无论在何种应用环境中,该产品都能有效地保护电路免受过电压风险,为设计工程师提供了一种可靠的解决方案。