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ZXMN3B04N8TA
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 30V 7.2A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.89按整 :
圆盘(1圆盘有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.89
--
50+
￥3.11
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMN3B04N8TA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 7.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23.1nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2480pF @ 15V |
ZXMN3B04N8TA手册
无数据
ZXMN3B04N8TA概述
ZXMN3B04N8TA 产品概述
概述
ZXMN3B04N8TA 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），它以其优异的电气特性和广泛的应用场景而受到电子工程师的青睐。这款器件特别适用于电源转换、开关电路和其他要求高效率和小型化解决方案的应用。
产品特性
结构与封装
ZXMN3B04N8TA 采用 8-SOIC（0.154英寸，3.90mm 宽）封装，同时支持表面贴装型设计。这种封装形式不仅减小了电路板的面积，还提高了散热性能，使其在高功率应用中表现良好。电气性能
- 漏极电流: 在常温下（25°C），ZXMN3B04N8TA 的连续漏极电流可达 7.2A，这使其能够满足大多数中等功率应用的需要。
- 漏源电压: 该器件的漏源电压（Vdss）为 30V，能够有效应对多种电源配置，提供良好的电压保护。
- 导通电阻: 在 7.2A 的条件下，器件的最大导通电阻约为 25 毫欧，具有较低的功耗和发热量，提高了电源的效率。
- 功率耗散: ZXMN3B04N8TA 最大功率耗散可达到 2W，适合多种热管理方案，增强了器件在高密度设计中的适用性。
驱动电压
该 MOSFET 支持的最大栅极驱动电压（Vgs）为 ±12V，适合与多种控制电路兼容，提供广泛的驱动选项。开关性能
- 栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 的栅源电压下，器件的最大栅极电荷为 23.1nC，说明在开关过程中，其响应时间较快，非常适合高频应用。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 2480pF，此参数确保了器件在高频情况下仍具备良好的开关性能。
工作环境与可靠性
ZXMN3B04N8TA 可在 -55°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内稳定运行，适用于极端工作条件。这种高温耐受性使其能够应用于汽车电子、工业控制和其他要求高稳定性的环境中，提高了其整体可靠性。
应用领域
ZXMN3B04N8TA 适应于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源
- 电动机驱动
- 电池管理系统
- DC-DC 转换器
- 汽车电子设备
- LED 驱动电路
在这些应用中，该器件能够提供高效、可靠的电流控制，帮助设计者降低能耗并提高系统性能。
总结
总之，ZXMN3B04N8TA 是一款兼具高性能和多功能性的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽范围的工作温度，成为了市场上备受欢迎的选择。无论是在高频开关应用还是高效能电源设计中，该器件都展现出出色的电气性能，极大地满足了现代电子产品对效率、体积和可靠性的需求。