功率(Pd) | 310mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | NPN |
特征频率(fT) | 300MHz | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,1.0V |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@10mA,1.0mA |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | 集电极电流(Ic) | 200mA |
MMBT3904Q-7-F是一款高性能的NPN型双极型晶体管(BJT),其主要应用于信号放大和开关电路。该元器件由DIODES(美台)公司生产,封装形式为SOT-23,适合需要较小体积和高效能的电子产品设计。
MMBT3904Q-7-F的设计使其在多种电气参数下均表现出优异的性能。该三极管的较高集电极电压和集电极电流规格使其适用于多个低功率的开关和放大器应用。具有较低的噪声系数,使得其在音频信号处理、RF信号放大等对信号质量要求较高的场合中表现出色。
MMBT3904Q-7-F适合多种工业和消费类电子产品,包括但不限于:
在设计电路时,使用MMBT3904Q-7-F时需确保:
MMBT3904Q-7-F相比于同类产品(如2N3904等),具有更高的功率阈值和更优越的封装设计,使其在高密度电路设计中优势明显。此外,DIODES公司在半导体领域享有较高的声誉,其产品一般在稳定性和耐用性方面表现良好。
综上所述,MMBT3904Q-7-F是一款高效能且多功能的NPN型三极管,适用于广泛的电子应用领域。其出色的参数和灵活的应用场景,使得它在现代电子产品设计中变得尤为重要。通过适当的设计和应用,工程师可以充分发挥MMBT3904Q-7-F在电路中的潜力,提升整个系统的性能与可靠性。