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DMG6402LDM-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT26
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.12W 30V 5.3A 1个N沟道 SOT-26
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.632按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.632
--
200+
￥0.435
--
1500+
￥0.396
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG6402LDM-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 404pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.12W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
DMG6402LDM-7手册
无数据
DMG6402LDM-7概述
产品概述：DMG6402LDM-7 N通道MOSFET
DMG6402LDM-7 是美台（DIODES）公司生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计目标是为各种电子应用提供高效的电源管理和信号开关。该器件具有 30V 的漏源电压（Vdss），以及在 25°C 环境温度下可承受最大 5.3A 连续漏极电流（Id），使其非常适合用于电源转换、开关电源、马达驱动和其他高频率功率电子应用。
关键参数
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：30V，适合中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达 5.3A，能满足大多数中等功率配置的需要。
- 驱动电压（Vgs）：支持 4.5V 和 10V 的驱动电压，允许灵活的电路设计。
导通电阻（Rds(on)）：
- 在不同的漏极电流 Id 和栅极电压 Vgs 下，DMG6402LDM-7 的最大导通电阻可低至 27 毫欧（@ 7A，10V），这意味着在高负载工作条件下，功率损耗可以保持在最低水平，提升整体能效。
开关特性：
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2V（@ 250µA），确保该 MOSFET 能在低电压条件下有效开启。
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 条件下，栅极电荷最大值为 9.2nC，反映出该器件具备良好的开关性能，适合高频率切换应用。
输入电容：
- 输入电容（Ciss） 的最大值为 404pF（@ 15V），该特性同样有助于提高高频操作下切换性能的稳定性。
物理特性
- 封装：该 MOSFET 采用 SOT-26 封装方式，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合于表面贴装（SMT）。
- 工作温度范围：设备能够在-55°C 到 150°C 的广泛温度范围内正常工作，适合于各种严苛环境的应用。
应用场景
DMG6402LDM-7 的应用范围广泛，主要包括：
- 电源管理模块：可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理解决方案中。
- 开关电源：作为开关元件，执行快速切换以提高效率。
- 低电压电动机控制：在无刷直流电机和步进电机控制电路中，提供高效开关和增强的速率控制。
- 高频率信号处理：在通信设备和 RF 应用中，该 MOSFET 可用于信号调制和解调。
总结
作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，DMG6402LDM-7 在电流承载、高效能和恒定性能方面表现出色。凭借其优秀的电气参数、良好的开关特性和多功能性，DMG6402LDM-7 是开发高效能电源解决方案和信号控制应用的理想选择。无论是用于消费电子、工业设备，还是通信系统，此元器件都能有效满足设计师的多样化需求。