ZXMP3A16N8TA
ZXMP3A16N8TA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1022pF @ 15V |
ZXMP3A16N8TA手册
ZXMP3A16N8TA概述
ZXMP3A16N8TA 产品概述
一、产品基本信息
ZXMP3A16N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET（场效应管），采用了表面贴装型(SMD) SO-8 封装。作为一种高性能的功率开关元件，该 MOSFET 在电源管理及开关电路中广泛应用。
二、关键规格
- 制造商: Diodes Incorporated
- 零件状态: 有源
- FET 类型: P 通道
- 工作温度: -55°C ~ 150°C
- 电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A（25°C时）
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 栅极驱动电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 导通电阻 (Rds On): 最大 40 毫欧 @ 10V，4.2A
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 1V @ 250µA
- 功率耗散 (Pd): 最大 1.9W
- 封装类型: SO-8
- 栅极电荷 (Qg): 最大 29.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 1022pF @ 15V
三、产品特点与优势
高效能: ZXMP3A16N8TA 的低导通电阻（Rds On）使得其在高电流应用中具有极低的功耗，能够有效降低发热量，提高整体电路效率。
广泛的工作温度范围: 该 MOSFET 支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，适合于恶劣环境及高温应用。
优良的阈值电压特性: 其最大栅极阈值电压仅为 1V，意味着该 MOSFET 可以在更低的驱动电压下实现开关操作，进一步降低设计复杂性。
兼容性与灵活性: ZXMP3A16N8TA 采用常见的 SO-8 封装，对应于一般的PCB设计，使其在多种电路设计中具有很好的兼容性。
快速开关能力: 其栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)的设计使得 ZXMP3A16N8TA 能快速响应变化，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、马达控制和电源管理系统。
四、应用场景
ZXMP3A16N8TA 适用于多种电源管理和开关应用，主要包括：
电源开关: 在各种电源模块中，ZXMP3A16N8TA 可以作为开关组件提供可靠的电源控制，例如在LED驱动电路、AC-DC电源转换等应用中。
马达控制: 由于其高电流承载能力和快速开关特性，该 MOSFET 非常适用于电动机驱动应用，如自动门控制、电动窗等。
DC-DC 转换器: 在升压或降压转换器中，ZXMP3A16N8TA 可以用于高效率的电源转换，优化终端设备的能效。
电池管理系统: 在电池充放电管理中，可以利用该 MOSFET 进行过流保护和开关控制，提高电池的安全性与续航能力。
五、总结
ZXMP3A16N8TA 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，其具有出色的电流承载能力、优良的热管理特性和广泛的工作温度范围，这使得它在电源管理和开关电路的应用中表现优异。无论是在消费电子、工业设备，还是在汽车电子等领域，ZXMP3A16N8TA 都是一个值得信赖的选择，为设计工程师提供更大的设计灵活性与可靠性。在选择合适的POWER MOSFET 时，ZXMP3A16N8TA 将是一个理想的候选元器件。