ZXMN2A01E6TA
ZXMN2A01E6TA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 303pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZXMN2A01E6TA手册
ZXMN2A01E6TA概述
ZXMN2A01E6TA 产品概述
一、产品简介
ZXMN2A01E6TA 是一种高性能 N 通道 MOSFET，属于美台（DIODES）品牌的电子元器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和其他需要控制大电流的电路中。该器件采用 SOT-23-6 的封装设计，适合于表面贴装技术（SMT），以提高生产效率并节省板上空间。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: ZXMN2A01E6TA 的最大漏源电压为 20V，足以满足许多低压应用的需求，确保在正常工作状态下不会出现击穿现象。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，该 MOSFET 能支持连续漏极电流高达 2.5A，这使得其能够驱动较大的负载，适合于电源管理和电机控制。
导通电阻（Rds On）: 在 4.5V 的栅极驱动电压下，其最大导通电阻为 120 毫欧，出色的导通性能确保了能量损耗的最小化，降低了热量的产生，提高了电路的效率。
驱动电压（Vgs）: ZXMN2A01E6TA 可在 2.5V 至 4.5V 的驱动电压下稳定工作，适应较低的驱动电压要求，便于与低电压控制信号兼容。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 的漏电流下，其栅极阈值电压的最大值为 700mV，这一特性使得在低电压操作下也能够快速开关，使其在多种电路中表现良好。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 303pF，适合高速开关应用，有助于减少开关损耗，提高系统的总体性能。
功率耗散: 最大功耗为 1.1W，保证了在长时间工作情况下的可靠性，减少了过热和故障的风险。
工作温度范围: ZXMN2A01E6TA 具有极宽的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，能够在严苛的工作环境中保持稳定性能，适合于工业级应用。
三、应用场景
ZXMN2A01E6TA 的高性能特性使其适合于多种电气与电子应用，包括但不限于以下领域：
开关电源: 在电源转换和管理中，MOSFET 常用于高频开关的控制，以实现能量的高效传递和转换。
电机驱动: 在驱动直流电机或步进电机的电路中，ZXMN2A01E6TA 可用于开关控制，确保高效操控与快速响应。
LED 驱动: 作为 LED 照明中的开关元件，能够有效调节光源的亮度和驱动功率。
汽车电子: 适于汽车中的电源管理、动力控制等子系统，提高整体能效与可靠性。
供电系统: 在各类消费电子和工业设备中起到电源调节与保护的作用，实现智能控制。
四、总结
ZXMN2A01E6TA 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，结合其高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围，使得其在多种电子应用中表现出色。随着电子设备趋势向低功耗与高效率发展，ZXMN2A01E6TA 将继续在行业中发挥重要作用。无论是在开关电源、电动机控制还是其他复杂的电子控制系统中，它都能提供可靠的解决方案和出色的性能，值得广泛应用与投资。