DMN2011UFDE-7
DMN2011UFDE-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2248pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 610mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（E 类） |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN2011UFDE-7手册
DMN2011UFDE-7概述
产品概述：DMN2011UFDE-7 MOSFET
一、基本信息
DMN2011UFDE-7是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其主要针对低功耗、高效率的应用场景而设计。采用6-UDFN裸露焊盘封装，适合用于表面贴装技术（SMT），大大降低了元件的体积，并提升了散热性能。这款MOSFET具有以下关键参数：漏源电压（Vdss）为20V，最大连续漏极电流（Id）为11.7A，栅源电压（Vgs）最大值为±12V，功率耗散最大可达610mW，工作温度范围为-55°C至150°C。
二、技术特点
低导通电阻： DMN2011UFDE-7在4.5V的栅源电压下，当漏极电流Id为7A时，其最大导通电阻Rds(on)仅为9.5毫欧。这意味着在实现较大的负载下，器件的能量损失非常小，有助于提高系统的总体效率。
高开关频率： 由于其小的输入电容（Ciss），最大值为2248pF@10V，DMN2011UFDE-7能够实现更高的开关频率，适合用于高频开关电源和驱动电路，为很大程度上优化了开关损耗。
宽工作温度范围： 其工作温度范围从-55°C到150°C，使得该MOSFET能够在较为苛刻的环境中运行，对于工业应用、汽车电子以及航空航天等领域具有极大的应用潜力。
优良的栅极电荷特性： DMN2011UFDE-7的栅极电荷（Qg）最大仅为56 nC@10V，意味着该器件可以在较低的驱动功耗下实现高效开关，降低了驱动电路的复杂性和成本。
三、应用领域
DMN2011UFDE-7广泛应用于以下几个领域：
功率管理： 该器件在DC-DC转换器、LED驱动器和电源管理IC中表现出色，能够高效地控制电流，提高能量转换效率。
电池管理系统： 其低导通电阻和高频特性使其在电池管理和充电应用中非常理想，能够有效降低功耗并延长电池寿命。
汽车电子： 由于其广泛的工作温度范围和高耐压特性，该MOSFET特别适用于汽车电源管理系统和动力驱动应用。
通信设备： 在需要高开关频率和快速响应的通信设备中，DMN2011UFDE-7可有效地提高信号的完整性和系统的可靠性。
四、总结
DMN2011UFDE-7是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用场景，成为电子设计工程师进行高效电源设计的理想选择。无论是在工业控制、汽车、还是通信设备中，DMN2011UFDE-7均能提供高效、可靠的解决方案，有助于更好地满足现代电子产品对能效和空间的严格要求。通过采用这种器件，工程师们能够在设计中实现更小的尺寸、更高的效率和更好的热管理，推动技术的进一步发展。