ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA 产品概述

产品简介

ZXMP3A17E6TA 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，专为要求严格的电源管理应用而设计。该元件采用 SOT-23-6 封装，能够为电路提供出色的电气性能和热稳定性。其主要特点包括漏源电压为 30V、连续漏极电流可达 3.2A，以及在最大 Rds On 的情况下具有低达 70 毫欧的导通电阻。这些特性使其非常适合用在负载开关、降低功耗的 DC-DC 转换电路，以及其他开关应用中。

关键参数

1. 类型与技术：ZXMP3A17E6TA 是 P 通道 MOSFET，属于金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）技术。MOSFET 的高输入阻抗、快速开关特性及优良的热稳定性，使其在现代电源管理和信号调理电路中被广泛应用。

2. 电气参数：

   • 漏源电压 (Vdss)：该器件的最高漏源电压为 30V，适合于中等电压应用。
   • 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，ZXMP3A17E6TA 的最大漏极电流为 3.2A，适合于各种负载条件。
   • 导通电阻 (Rds On)：该 FET 在 10V 的栅极驱动下，实现了最大 70 毫欧的导通电阻。较低的导通电阻进一步降低了设备的功耗并提高了效率。

3. 栅极参数：

   • 驱动电压：器件的最佳驱动电压分别为 4.5V 和 10V，以确保最小的导通电阻和优化的功率损耗。
   • 阈值电压 (Vgs(th))：最大阈值电压为 1V ，典型阈值在实际应用中表现出非常好的导通能力，能够有效地控制功率传输。
   • 栅极电荷 (Qg)：在 10V 的栅极驱动下，器件的栅极电荷最大为 15.8nC，确保快速的开关时间。

4. 热特性：

   • 功率耗散 (Pd)：在环境温度为 Ta 时，最大功率耗散为 1.1W。优越的散热性能使得该器件在高负载应用下仍能保持稳定性。
   • 工作温度范围：ZXMP3A17E6TA 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保在极端环境下也能可靠工作，适合各种工业和汽车电子应用。

封装与安装

ZXMP3A17E6TA 采用 SOT-23-6 封装，适合表面贴装技术（SMT），为现代 PCB设计提供了极大的便利。其小型化的设计满足了对空间密度和准确度的高要求，广泛应用于便携式设备、汽车电子、计算机周边设备等多个领域。

应用领域

ZXMP3A17E6TA的应用非常广泛，包括但不限于：

• 负载开关：用于在电源管理电路中切断或连接负载，节省能源和提高效率。
• DC-DC 转换器：在高效转换中实现功率管理。
• 线性调节器：稳压器设计中作为开关元件，以提高调节精度和降低功耗。
• 自动化控制系统：在各种工业设备和自动化控制系统中，用于电机驱动等需求。

总结

ZXMP3A17E6TA 是一款具有卓越性能的 P 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气参数和广泛的应用潜力，为设计师和工程师提供了可靠、有效的解决方案。无论是在消费电子还是工业应用中，它都能助力实现更高的能效和系统集成度，是您理想的电子元器件选择。