ZXM64P02XTA
ZXM64P02XTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±12V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118""，3.00mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 900pF @ 15V |
ZXM64P02XTA手册
ZXM64P02XTA概述
ZXM64P02XTA 产品概述
制造商： Diodes Incorporated
封装类型： MSOP-8 (0.118"，3.00mm宽）
状态： 有源
构造类型： P 通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
应用领域： 汽车电子、消费电子、工业控制等
一、引言
ZXM64P02XTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 P 通道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术制造，旨在满足现代电子设备对小型化、高效率和低功耗的要求。该器件以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围，适用于各种电子应用，特别是在要求高可靠性的环境下工作。
二、电气特性
ZXM64P02XTA 的电气性能表现卓越，关键参数包括：
最大漏源电压 (Vdss)：20V，适合于相对较低漏源电压的应用。
连续漏极电流 (Id)：在25°C时最大可达到3.5A，使其在负载较大的情况下依旧保持高效工作。
导通电阻 (Rds On)：在Vgs为4.5V时，Rds On最大值可达到90毫欧，当电流为2.4A时，这一参数确保了器件在开启状态下的低功率损耗，提升了系统的能效。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值为700mV @ 250μA，确保该MOSFET在低电压驱动下也能快速导通，从而适应不同的驱动条件。
功率耗散 (Pd)：最大为1.1W，表明该器件能够在严格的功率条件下可靠工作。
驱动电压 (Vgs)：最大值为±12V，扩展了该器件的驱动范围，使其能够与多种控制电路兼容。
工作温度范围：-55°C到150°C，确保其在极端环境条件下的稳定性，适应汽车和工业应用的高温要求。
栅极电荷 (Qg) 和 输入电容 (Ciss)：分别为6.9nC @ 4.5V 和900pF @ 15V，为高频率切换应用提供快速响应能力。
三、封装与安装
ZXM64P02XTA采用小型MSOP-8封装，符合现代电子产品对空间的严格要求。表面贴装（SMD）技术使得该MOSFET易于与其他组件联合安装，支持自动化生产，降低了生产成本，提高了生产效率。
四、应用领域
由于其优越的特性，ZXM64P02XTA广泛应用于：
汽车电子：用于电机驱动、能源管理和电源开关等方面，尤其是在要求高温稳定性的条件下。
消费电子：如智能手机、平板电脑及其他便携式设备，涉及电池管理和功率转换的场合。
工业控制：作为开关元件用于电源控制和各类传感器应用，提升产业自动化程度。
LED驱动电源：高效的开关特性使其在LED照明驱动方面展现优势。
五、总结
ZXM64P02XTA是Diodes Incorporated推出的一款高性能P通道MOSFET，凭借其优异的电气特性、宽广的工作范围和灵活的封装解决方案，成为了多个应用领域的理想选择。这款MOSFET不仅有助于实现低功耗、高效率的电路设计，同时还符合现代电子设备对体积和可靠性的苛刻要求，是设计人员在现代电子产品开发中不可或缺的组件之一。