MT41K256M16HA-125 IT:E

MT41K256M16HA-125 IT:E 产品概述

产品名称: MT41K256M16HA-125 IT:E
制造商: Micron Technology, Inc.

一、产品背景

MT41K256M16HA-125 IT:E是一款高性能的DDR3L SDRAM存储器，具有4Gb的存储容量（256M x 16位）。作为镁光公司旗下的产品，它采用先进的表面贴装技术（FBGA封装），旨在满足对存储器性能和可靠性要求极高的应用场景。

二、主要规格

• 时钟频率: 800MHz
• 访问时间: 13.75ns
• 技术类型: DDR3L SDRAM
• 存储容量: 4Gb
• 存储格式: DRAM
• 存储器类型: 易失性存储器
• 工作温度范围: -40°C ~ 95°C
• 供电电压: 1.283V ~ 1.45V
• 封装形式: 96-FBGA（9x14）

以上参数使得MT41K256M16HA在高性能、节能和可靠性之间达到了良好的平衡，适合于各种嵌入式系统、移动设备和数据中心等领域。

三、典型应用

1. 移动设备: 这款DDR3L SDRAM非常适合智能手机、平板电脑等移动设备的应用。其低电压特性不仅可以延长电池寿命，还能同时提供高数据传输速率，确保设备在多任务处理时的流畅运行。

2. 网络通信: 在网络设备中，MT41K256M16HA-125 IT:E可以用作路由器、交换机等设备的内存，提供快速的数据访问能力，以支持实时数据传输和处理的需求。

3. 工业应用: 其宽广的工作温度范围（-40°C ~ 95°C）使得该产品适应恶劣的环境条件，非常适合在工业自动化、监控系统中的应用。

4. 服务器和数据中心: 在服务器和数据中心应用中，MT41K256M16HA可作为缓存或主存储器，支持高带宽、高并发访问，满足数据处理的高要求。

四、技术优势

• 高频率和短访问时间: 800MHz的工作频率以及13.75ns的访问时间，使得MT41K256M16HA能够提供卓越的性能，提高系统的整体响应速度和效率。

• 低功耗: 作为DDR3L存储器，其工作电压范围从1.283V到1.45V，显著降低了能耗，使设备在长时间运行时维持低温工作状态。

• 可靠性和稳定性: 采用先进的制造工艺和设计，MT41K256M16HA具有很高的抗干扰能力和数据完整性，能够在各种苛刻的应用环境中保持稳定的性能。

五、总结

MT41K256M16HA-125 IT:E以其卓越的性能、低功耗特性以及宽温范围，成为了现代电子设备中不可或缺的关键组成部分。无论是在智能手机、移动设备还是在工业控制系统中，该款DDR3L SDRAM都能提供可靠的存储解决方案，助力企业和消费者实现高效、稳定的应用需求。借助镁光作为行业领先门到的技术支持，MT41K256M16HA-125 IT:E将继续在未来的存储发展中发挥重要作用。