DMN3033LDM-7
DMN3033LDM-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 6.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 755pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
DMN3033LDM-7手册
DMN3033LDM-7概述
DMN3033LDM-7 产品概述
DMN3033LDM-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由美台（DIODES）公司制造，采用 SOT-26 封装，专为各种功率管理和电源开关应用设计。其最大漏源电压为 30V，能够承受高达 6.9A 的连续漏极电流，适合多种电源和驱动电路的需求。该器件为表面贴装型（SMD），使得其在自动化生产和紧凑型电路板设计中具备了良好的适应性。
主要特性
N 通道 MOSFET： DMN3033LDM-7 是一款 N 通道 MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 驱动电压下，最大 Rds(on) 为 33 毫欧，在 6.9A 的电流下表现良好。这一特性确保了器件在高效能和低发热的情况下运行，适用于要求严格的功率传输和开关应用。
工作范围与可靠性： 工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，确保了该器件在极端环境下的可靠性与稳定性，适用于工业、汽车和消费电子产品等多种应用场景。
栅极电压与转换特性： DMN3033LDM-7 的驱动电压最大可达 20V，给设计人员提供更大的灵活性，尤其是在高频开关应用中。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为 2.1V ，使得在较低的栅极电压下就能实现导通，有利于降低总体功耗。同时，其栅极电荷（Qg）在 10V 下的最大值为 13nC，表明在快速开关的条件下，所需的驱动功率较小。
电容参数： 该 MOSFET 的输入电容（Ciss）最大值为 755pF，适应快速开关特性并降低驱动功耗，有助于设计紧凑的开关电路。
功率额定值： DMN3033LDM-7 的最大功率耗散为 2W，这意味着在稳定工作的情况下，可接受的功率损耗相对较大，从而保证了器件的长时间可靠运行。
应用领域
DMN3033LDM-7 广泛应用于以下领域：
电源管理：由于其低导通电阻和高电流承载能力，这款 MOSFET 非常适合用于电源开关应用，包括 DC-DC 转换器、LED 驱动和电池管理系统。
工业控制：适合各种自动化设备如电机驱动、开关电源和各类电气控制系统，提供了卓越的效率和稳定性。
消费电子：适合在智能手机、平板电脑、便携式设备中作为开关元件，能有效降低功耗并延长设备的使用时间。
汽车电子：在汽车电子领域，该 MOSFET 可用于电机驱动、负载开关及电源转换等场合，能够承受一定的环境条件和高温工作。
总结
DMN3033LDM-7 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，适用于多种现代电子应用。其出色的电流承载能力、高温工作范围以及小型封装设计，使其成为各种电子项目的理想选择。美台公司的这一产品不仅能够满足高效率和低功耗的要求，同时也为设计人员提供了极大的设计灵活性，是提升电源管理和控制性能的重要器件。无论是在工业、消费电子还是汽车领域，DMN3033LDM-7 都展现出其不可或缺的价值。