FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 336pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.8W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOP |
基本描述
DMP3098LSD-13 是一款高性能的双 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),其具有优越的电气特性和可靠性,广泛应用于低压及中等功率的开关电路、负载驱动和高频转换等领域。此器件由知名半导体制造商 DIODES(美台)生产,采用表面贴装型 SO-8 封装,适合现代电子产品的小型化和高集成度的设计需求。
技术规格
FET 类型与功能
DMP3098LSD-13 中包含两个 P 沟道 MOSFET,具备逻辑电平门的特点。这一设计使其能够与低电压控制信号直接兼容,适用于各种应用场景。
漏源电压与电流特性
该器件具备最大漏源电压(Vdss)为 30V 的能力,充分满足大多数低压应用的需求。在 25°C 的环境温度下,其最大连续漏极电流(Id)可达到 4.4A,为电路提供了足够的驱动能力。
导通电阻与栅极电压特性
在不同的漏极电流 Id 和栅极源电压 Vgs 下,DMP3098LSD-13 的最大导通电阻为 65 毫欧(在 5A 和 10V 时)。这一特性使得该 MOSFET 在导通状态下具有较低的功耗,提升了整个电路的能效表现。此外, Vgs(th) 最大值可低至 2.1V(在 250µA 时),这意味着它可以在低电压条件下高效工作,适合与微控制器和其他逻辑电平信号源连接。
栅极电荷与输入电容
DMP3098LSD-13 在 10V 的栅极驱动下,栅极电荷(Qg)最大值为 7.8nC,而输入电容(Ciss)最大值为 336pF(在 25V 时)。这些特性使其适合应用于高频开关电路,保证快速的开关速度和良好的频率响应。
功率与工作温度
此器件的最大功耗为 1.8W,工作温度范围为 -55°C 至 150°C,满足各种恶劣环境下的稳定工作需求,适应工业、消费电子等多种应用场景。
应用领域
DMP3098LSD-13 的广泛应用包括但不限于:
总结
DMP3098LSD-13 是一款设计精良、性能出色的双 P 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力以及良好的工作温度范围,使其在多个电子应用中表现优异。其小巧的 SO-8 封装和多种电气特性,使得这款产品成为现代高效能电路设计的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,DMP3098LSD-13 都能提供出色的性能与可靠性,助力各种电子产品的创新与发展。