晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 270mV @ 50mA,1A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 385mW | 频率 - 跃迁 | 215MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
ZUMT619TA是一款高性能的NPN型晶体管,专为需要高电流和高电压的多种电子应用设计。作为一款表面贴装型元件,它采用流行的SOT-323封装,适合于紧凑型电路设计,能够有效节省 PCB 空间。这款晶体管由美台Diodes公司出品,以其优越的性能和应用灵活性,赢得了广泛的认可和应用。
ZUMT619TA具有以下基本参数:
强劲的电流和电压承受能力: ZUMT619TA的最大集电极电流可达1A,并且能够承受高达50V的集射极击穿电压,使其非常适合用于电源管理和驱动电路。
低饱和压降: 此设备的饱和压降很低(270mV),即使在较高的电流下也能够保持较小的功率损耗,从而提高系统效率。
高增益: 最小直流电流增益(hFE)为200,表明在小的基极驱动电流下,该晶体管能够提供较大的集电极电流,实现高效的电流放大。
高频特性: ZUMT619TA具有高达215MHz的频率跃迁,适用于高速开关和信号放大等高频应用。其高频响应能力使其能够在高频率电路中保持稳定的性能。
广泛的工作温度范围: ZUMT619TA的工作温度范围可从-55°C到150°C,意味着它能够在极端环境条件下依然可靠工作,适合军事、航天和工业应用。
ZUMT619TA作为小信号和功率放大器,广泛应用于以下几个领域:
开关电源: 由于其高电流承受能力和低饱和压降,ZUMT619TA非常适用于开关电源电路中的控制和调节部分,可以提高电源的效率和稳定性。
信号放大: 该晶体管可以用于音频放大器和射频放大器,它的高频响应和直流增益特性使得它能够强化信号并提供高精度的音频输出。
开关电路: ZUMT619TA可作为电子开关使用,通过控制基极电流来实现集电极电流的开关控制,广泛应用于电机驱动、LED驱动等场合。
可穿戴设备: 由于其小型化和高效率,ZUMT619TA可用于可穿戴电子设备,如智能手表和健康监测装置,为这些设备提供可靠的信号处理和功率控制。
ZUMT619TA采取SOT-323封装,这种封装类型具有良好的散热性能和较小的占用空间,适合于自动贴装的表面贴装技术(SMT)工艺,简化了制造过程,降低了成本。使用SOT-323封装的组件在整体电路设计上提供了更灵活的布局选项,使设计师能够在紧凑的电路板上安装更多的元件。
ZUMT619TA是一款性能优越、应用灵活、适用于多种电子设计的NPN晶体管。凭借其卓越的电流和电压特性、低饱和压降、高增益及广泛的工作温度范围,这款产品为现代电子设备提供了先进的解决方案,是工程师在设计和开发电路时的重要选择。