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DMP3050LVT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TSOT26
包装 :
编带
重量 :
0.037g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.8W 30V 4.5A 1个P沟道 TSOT-23-6
库存 :
685(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.855按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.855
--
200+
￥0.59
--
1500+
￥0.536
--
3000+
￥0.501
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP3050LVT-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 620pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
DMP3050LVT-7手册
无数据
DMP3050LVT-7概述
DMP3050LVT-7 产品概述
一、产品背景
DMP3050LVT-7 是由 DIODES（美台）公司推出的一款高性能的P通道MOSFET（场效应晶体管），该器件专为高效能的电源管理和开关应用而设计。作为一种半导体元件，它广泛应用于各种电子设备和系统中，包括但不限于电源转换器、DC-DC变换器、负载开关、低压电源管理以及其他要求高效率和小型化的电子电路。
二、基本参数
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：4.5A（在25°C环境下）
- 最大 Rds On 下的驱动电压：4.5V及10V
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5A、10V时最大值为50毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA下最大值为2V
- 栅极电荷（Qg）：最大值为10.5nC，在10V下测试
- Vgs（最大值）：±25V
- 输入电容 (Ciss)：在15V时最大值为620pF
- 功率耗散（Pd）：最大1.8W（在25°C环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（结温TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TSOT-26（SOT-23-6细型）
三、产品特性
DMP3050LVT-7 的设计注重热管理和高效能，具有低导通电阻的特点，这意味着在负载电流通过时，功耗极低。此外，该MOSFET 还支持广泛的工作温度范围，从-55°C 到 150°C，确保其在极端环境下的可靠性和性能。其最低的栅源阈值电压 (Vgs(th) 为 2V) 使该组件适合在较低电压下工作，方便与其他逻辑电平兼容的电路集成。
四、应用范围
DMP3050LVT-7 广泛应用于各种电源管理解决方案中，主要应用包括：
- 开关电源：用作控制开关元件，优化电能转化效率。
- DC-DC 转换器：能够承受较高的电压和电流，适合用于高频转换。
- 负载开关：在电流控制方面表现优异，用于在负载回路中进行开关操作。
- 电源管理和监控：能够精确地控制电源流并避免过载，保护下游元件。
- 工业控制和自动化：在多种工业设备中，用于控制电源和信号切换。
五、封装与安装
DMP3050LVT-7 采用 TSOT-26 表面贴装封装，这种细型封装不仅在空间有限的应用中极具优势，还能确保良好的散热性能。同时，表面贴装的设计便于自动化生产，提高了装配的效率。
六、总结
作为DIODES（美台）公司的一款卓越的P通道MOSFET，DMP3050LVT-7 集成了高性能特征和宽泛的应用灵活性，适合要求高效率和小型化的现代电子设计。其强大的参数和可靠的工作环境条件，确保了在多种严苛应用场景下的出色表现，为用户提供了稳定的电源解决方案。