注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMP2123LQ-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.017g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
1243(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.853按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.853
--
200+
￥0.589
--
1500+
￥0.534
--
3000+
￥0.499
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP2123LQ-7参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 72 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 443pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMP2123LQ-7手册
无数据
DMP2123LQ-7概述
DMP2123LQ-7 产品概述
1. 概述
DMP2123LQ-7是一款高性能P沟道MOSFET（场效应晶体管），由DIODES（美台）公司出品，广泛应用于低压电源管理、开关电源、电机控制和其他需要高效率和高开关频率的电子产品中。该器件在散热性能、导通电阻、驱动电压范围等方面表现优异，适合于多种应用场合。
2. 基本参数
DMP2123LQ-7采用SOT-23封装，具有以下主要电气参数：
- 漏源电压 (Vdss): 该器件能承受的最大漏源电压为20V，适合于低压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C时，DMP2123LQ-7支持最高3A的连续漏极电流，满足较高负载需求的电路设计。
- 驱动电压: 器件在2.5V和4.5V下分别提供最小和最大导通电阻（Rds On），确保在低电压条件下仍能高效导电。
- 导通电阻 (Rds On): 在3.5A和4.5V的条件下，最大导通电阻为72毫欧。这一低阻抗特性使它在开关过程中表现出色，有助于降低功耗和发热。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 器件的Vgs(th)最高可达1.25V @ 250µA，这代表其在相对低电压下便可完全开启，提高了驱动的灵活性和可靠性。
- 输入电容 (Ciss): 在16V的Vds条件下，输入电容为443pF，适合高速开关应用，确保快速响应和低延迟。
3. 热性能
DMP2123LQ-7的功率耗散为1.4W（Ta），结合其工作温度范围从-55°C到150°C，使其在不同环境条件下均可稳定工作。这样的热特性对于严酷的工业环境或高温应用尤为重要。
4. 安装与应用
该产品采用表面贴装型（SMD）设计，可方便布板和焊接，适合于现代电子设备的PCB组装。DMP2123LQ-7的多种应用包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 电子开关
- 负载开关
- 电池管理系统
- 电机驱动控制
5. 竞争优势
与同类产品相比，DMP2123LQ-7的独特优势在于其低导通电阻和出色的热管理特性，使其在效率和可靠性方面表现出色。同时，广泛的工作温度范围和兼容的驱动电压适用于不同的设计需求，使得它成为多种电子产品的理想选择。
6. 结论
DMP2123LQ-7凭借其高效的性能及多功能特性，成为电源管理和开关应用领域中的一款重要元件。凭借环保和节能的设计理念，适应现代电子设备对于高效能和高集成度的需求，可以预期该MOSFET将在未来的电子产线上发挥重要的作用。
具备全方位的电气参数和热特性，DMP2123LQ-7为设计工程师提供了灵活性和选型的便利，是开发现代电子系统不可或缺的关键元件之一。