类型 | 齐纳 | 双向通道 | 1 |
电压 - 反向断态(典型值) | 5.5V(最大) | 电压 - 击穿(最小值) | 6V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 13V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 4A(8/20µs) |
电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
不同频率时电容 | 8pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0201(0603 公制) |
供应商器件封装 | X3-DFN0603-2 |
产品名称: D5V0P1B2LP3-7
品牌: DIODES(美台)
类型: 齐纳二极管
封装: X3-DFN0603-2
应用场景: 通用电子设备的过压保护
D5V0P1B2LP3-7 是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用0201(0603公制)的表面贴装型封装。在电子设备中,重要的是设备能够在过电压情况下,迅速响应并保护突破电压的敏感组件,这款二极管正好满足了这一需求。
电压参数:
电流处理能力:
电容与频率特性:
温度范围:
无电源线路保护:
D5V0P1B2LP3-7广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
D5V0P1B2LP3-7以其优异的电压保护特性和广泛的工作温度使其成为电子和电气应用非常理想的选择。无论是在消费电子、工业设备还是特殊环境应用中,其尖端的表面贴装设计和高频性能都使得该元器件在众多应用场景中具备广泛的适用性和优势。在保护电路设计中,选择D5V0P1B2LP3-7,可以有效增强设备的可靠性和耐用性。