晶体管类型 | 2 PNP(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
MMDT3906VC-7 是一款高性能的 PNP 晶体管,专为各种电子应用而设计,适用于电流放大和开关电路。这款器件具有优越的电气性能,尤其在高频率操作和高温环境下的表现都非常出色,适合在苛刻的环境中应用,提供稳定可靠的性能。
晶体管类型: MMDT3906VC-7 是一款 PNP(双极型晶体管),支持多种电流和电压操作,使其在多种应用场景中都能发挥作用。
最大集电极电流 (Ic): 该器件的最大集电极电流为 200mA,适合中小功率负载的开关和放大应用。
最高集射极击穿电压 (Vce): 具备高达 40V 的集射极击穿电压,使其能够承受较高的电压波动,适合用于电压较高的电路设计中。
饱和压降: 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,MMDT3906VC-7 的 Vce 饱和压降最大为 400mV(在 5mA 和 50mA 的情况下测试),这显示出其在开关应用中的低功耗特性。
直流电流增益 (hFE): 在 10mA 的集电极电流和 1V 的 Vce 下,最小直流电流增益为 100,表明该器件能够有效地放大输入信号,是理想的信号放大器。
功率处理能力: 最大功率为 150mW,提供适当的功率处理能力以满足多种电路设计需求。
高频特性: MMDT3906VC-7 具有高达 250MHz 的频率跃迁能力,适合高频信号处理,尤其适用于 RF 应用。
工作温度范围: 工作温度范围为 -55°C 至 150°C,确保在极端环境下的持续稳定工作,适合航空航天、汽车电子及工业设备等苛刻应用。
封装类型: 该器件采用 SOT-563 表面贴装封装,体积小巧,有助于降低电路板的占用空间,并适合现代较小型的电子设备。
MMDT3906VC-7 由于其良好的电气特性和耐高温性能,广泛应用于以下领域:
MMDT3906VC-7 是一款性能优越的 PNP 晶体管,凭借其高电流处理能力、宽工作温度范围和出色的频率性能,适用于广泛的电子应用场景。无论是在音频放大、开关控制还是高频通信中,该器件均能提供可靠的解决方案。设计者和工程师可在其产品开发中充分利用其优良的特性,推动创新与性能的进步。