晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC848BW-7-F 是一款高性能的 NPN 三极管,专为低功耗和高频应用而设计。它的广泛应用,包括信号放大、开关电路以及各种电子设备中,是现代电子设计不可或缺的组成部分。该三极管由知名制造商 DIODES(美台)提供,以其出色的电气性能和可靠性而闻名。
BC848BW-7-F 的主要技术参数如下:
高电流增益:BC848BW-7-F 提供的最低电流增益(hFE)为 200,确保在低输入电流条件下能够得到显著的输出性能。这使得它特别适合用于 RF 放大和信号处理电路。
低饱和压降:在开关应用中,饱和压降(Vce(sat))是一个关键参数。BC848BW-7-F 在 5 mA 和 100 mA 的工作状态下仍能保持低至 600 mV 的饱和压降,意味着在电流传递时能效高、热损耗少。
宽工作温度范围:该器件的工作温度范围为 -65 °C 至 150 °C,适合于各种苛刻环境,如航空航天、汽车电子和工业控制等领域。
高频性能:频率响应高达 300 MHz,BC848BW-7-F 能够满足现代高速电子电路的需求,这使其在调制解调器、无线电通信等应用中具备优势。
小型封装:采用 SOT-323 封装,绝对占用空间小,适合面向小型化和集成化的电子产品设计。
BC848BW-7-F 可广泛应用于多种电子电路,例如:
BC848BW-7-F 是一款设计卓越的 NPN 晶体管,凭借其高电流增益、低饱和压降、高频性能和宽工作温度范围,为用户的电子设计提供了极大的灵活性和可靠性。无论是在新兴的高科技领域还是传统电子设备中,BC848BW-7-F 都是实现高性能电路设计的理想选择。其紧凑的 SOT-323 封装更是满足了现代电子产品日益增长的空间需求,是设计师在选择元器件时值得信赖的选择。