制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 85 毫欧 @ 2.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 2.11W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 24.2nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1021pF @ 30V |
ZXMP6A16KTC 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名制造商 Diodes Incorporated 生产。该器件被广泛应用于各类电子设备中,尤其是在需要高效电源管理和开关控制的场合。针对高频和高电流应用,这款 MOSFET 提供了高导通性能和良好的可靠性,是很多设计工程师的优选。
电气特性:
门极特性:
功耗与散热:
封装与安装:
ZXMP6A16KTC 的广泛应用包括但不限于:
ZXMP6A16KTC MOSFET 是一款性能优越的 P 通道器件,具有高电压、高电流、低导通电阻和优异的散热性等特性,使其在电源管理和驱动应用中表现卓越。无论是在消费电子、工业设备,还是汽车电子等领域,ZXMP6A16KTC 都能为设计者提供可靠的解决方案。通过选择 ZXMP6A16KTC,设计工程师能够提高产品的整体效率和性能,满足现代电子产品日益增长的应用需求。