制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 2.15W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 965pF @ 20V |
ZXMP4A16KTC 是一款由 Diodes Incorporated 厂商生产的 P 通道 MOSFET。该器件封装为 TO-252(DPAK),适合于表面贴装应用,广泛应用于各种电子电路设计中。该 MOSFET 以其低导通电阻和高电流承载能力而著称,是电源管理、开关电机驱动和其他高效电源设计的理想选择。
ZXMP4A16KTC 在 25°C 时的连续漏极电流(Id)为 6.6A,这使得该器件可以处理较大的负载。在驱动电压方面,最小 Rds On 在 4.5V 时具有极高的效能,最高 Rds On 在满载条件下可达 10V。不同的 Id 和 Vgs 条件下,导通电阻最大为 60 毫欧,且在 3.8A 和 10V 时测得。这种低导通电阻可以有效降低功率损耗,从而提高系统整体效率。
在漏源电压(Vdss)方面,该产品的最大额定值为 40V,保证了在正常操作条件下不会造成器件的损坏。此外,该设备的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为 1V @ 250µA,这使得其在低压操作中具有更好的开关特性。
ZXMP4A16KTC 的最大功率耗散为 2.15W,这意味着在设计电路时需考虑适当的散热措施以防止过热。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合于各种严苛环境下的应用,确保其长期稳定性和可靠性。
在输入电容(Ciss)方面,ZXMP4A16KTC 提供了 965pF 的容量,特别是在 20V 的情况下。这种电容特性在高频应用中尤为重要,影响着开关速度和响应时间,从而影响整体电路性能。
ZXMP4A16KTC 广泛应用于电源管理、开关电源、直流电动机控制和负载开关等领域。由于其优越的电气特性,特别是在高频开关和高效功率转换中的表现,使其成为设计工程师的一项重要工具。
在电源设计中,MOSFET 的选择对于系统效率和热管理至关重要。ZXMP4A16KTC 的高效能将帮助设计者在满足应用需求和提高能效之间取得良好的平衡,降低功耗并提高系统整体性能。
总之,ZXMP4A16KTC 是一款性能优异的 P 通道 MOSFET,凭借其低导通电阻、高电流承载能力和宽广的工作温度范围,成为了多种电子应用中的首选器件。其卓越的电气特性和适应性使其在市场上脱颖而出,是设计高效能和可靠电源系统的理想选择。对于需要兼顾高效能与安全性的应用场景,ZXMP4A16KTC 是一款不可或缺的组件。