FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 6.9A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOP |
DMN3033LSD-13 产品概述
DMN3033LSD-13 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能双N-通道场效应晶体管(MOSFET),该器件专为高效的电源管理、开关控制和逻辑电平应用而设计。凭借其优越的电气性能及广泛的适用性,DMN3033LSD-13 在现代电子电路中扮演着重要的角色。
电气参数:
栅极和输入特性:
功率和温度范围:
DMN3033LSD-13 采用了表面贴装(SMD)型的封装,封装标识为SO-8(8-SOP),具有0.154英寸(3.90mm)的宽度。这种封装的设计可以有效节省电路板空间,并提供良好的热管理能力,适用于堆叠或高密度布局。
DMN3033LSD-13 的应用领域包括但不限于:
总的来说,DMN3033LSD-13 是一款性能卓越、功能多样的双N-通道场效应管,凭借其出色的电气特性与宽广的应用范围,成为现代电子产品设计的重要组成部分。无论是在高频开关电源、驱动电路还是在逻辑电平转换中,DMN3033LSD-13均可提供强大的支持。选择DMN3033LSD-13,不仅能提升设备的性能,还能确保设计的简洁与高效。