DMN3033LSD-13 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DMN3033LSD-13

商品编码: BM0000178620
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 6.9A 2个N沟道 SO-8
库存 :
4942(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.63
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.63
--
100+
¥1.25
--
1250+
¥1.06
--
2500+
¥0.899
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMN3033LSD-13参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20 毫欧 @ 6.9A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)13nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)725pF @ 15V
功率 - 最大值2W工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP

DMN3033LSD-13手册

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DMN3033LSD-13概述

DMN3033LSD-13 产品概述

DMN3033LSD-13 是由美台(DIODES)公司推出的一款高性能双N-通道场效应晶体管(MOSFET),该器件专为高效的电源管理、开关控制和逻辑电平应用而设计。凭借其优越的电气性能及广泛的适用性,DMN3033LSD-13 在现代电子电路中扮演着重要的角色。

产品特性

  1. 电气参数

    • 漏源电压(Vdss):最高可承受30V的漏源电压,使DMN3033LSD-13 能够在各种应用环境中稳定运行。
    • 连续漏电流(Id):该器件在25°C时的最大漏电流可达到6.9A,能够提供强大的输出能力,适用于高功率设备。
    • 导通电阻(Rds(on)):在6.9A和10V的栅极电压下,最大导通电阻为20毫欧,这一低阻抗设计能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
    • 阈值电压(Vgs(th)):在250µA电流下,阈值电压最大值为2.1V,使得该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下迅速导通。
  2. 栅极和输入特性

    • 栅极电荷(Qg):在10V的栅驱动电压下,栅极电荷的最大值为13nC,提供快速的开关响应。
    • 输入电容(Ciss):在15V的条件下,输入电容最大为725pF,这使得DMN3033LSD-13在高频率操作中具有较低的驱动功耗。
  3. 功率和温度范围

    • 最大功率:DMN3033LSD-13 的最大功耗为2W,适合用于功率较低的应用中。
    • 工作温度:该器件的工作温度范围非常广泛,从-55°C到150°C,可满足各种极端环境下的应用需求。

安装与封装

DMN3033LSD-13 采用了表面贴装(SMD)型的封装,封装标识为SO-8(8-SOP),具有0.154英寸(3.90mm)的宽度。这种封装的设计可以有效节省电路板空间,并提供良好的热管理能力,适用于堆叠或高密度布局。

应用场景

DMN3033LSD-13 的应用领域包括但不限于:

  • 开关电源:该器件能够高效地控制电源的通断,提供稳定的电压输出。
  • 电动机驱动:在电机控制中,DMN3033LSD-13 能够作为开关器件,实现高效的功率转换。
  • 逻辑电平转换:其较低的阈值电压使得该器件能够作为逻辑电平转换器,以适应不同电压级别的信号处理。
  • LED驱动:可以有效控制LED的开关状态,以适应各种照明应用。

总结

总的来说,DMN3033LSD-13 是一款性能卓越、功能多样的双N-通道场效应管,凭借其出色的电气特性与宽广的应用范围,成为现代电子产品设计的重要组成部分。无论是在高频开关电源、驱动电路还是在逻辑电平转换中,DMN3033LSD-13均可提供强大的支持。选择DMN3033LSD-13,不仅能提升设备的性能,还能确保设计的简洁与高效。