FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1 欧姆 @ 400mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | .9nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 76pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 460mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
产品概述:DMP31D0UFB4-7B
DMP31D0UFB4-7B 是一款由美台公司(Diodes Incorporated)生产的高性能 P 通道 MOSFET。该器件以其卓越的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电子电路中,尤其适用于小信号开关、功率开关和电源管理等领域。下面将详细介绍其主要特性、应用场景及优势。
电气性能:
驱动特性:
封装与散热:
电气连接:
DMP31D0UFB4-7B 在众多电子应用中均能发挥重要作用,包括但不限于:
DMP31D0UFB4-7B MOSFET 的优势体现在:
总之,DMP31D0UFB4-7B 作为一款功能多样、性能优越的 P 通道 MOSFET,不仅在电源管理和电子开关应用中展现出色的能力,而且适应广泛的工作环境,成为电子工程师在产品设计中的重要选择。随着对高效、低功耗产品的需求不断上升,该 MOSFET 将在各个领域持续发挥其重要作用。