FOD817C3SD
FOD817C3SD参数
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 电流传输比（最小值） | 200% @ 5mA | 电流传输比（最大值） | 400% @ 5mA |
| 上升/下降时间（典型值） | 4µs，3µs | 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出（最大值） | 70V |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA | 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | 1.2V |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | 50mA | Vce 饱和压降（最大） | 200mV |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，鸥翼 | 供应商器件封装 | 4-SMD |
FOD817C3SD手册
FOD817C3SD概述
产品概述：FOD817C3SD
引言
FOD817C3SD 是一款高性能的晶体管输出光耦合器，由全球知名的安森美半导体公司所生产。该器件在电气隔离、高可靠性和小型封装方面表现出色，适用于各类电子应用。其设计确保了良好的信号传输性能，同时提供了优秀的电气隔离，适合需要隔离和信号传输的电路。
基础参数
FOD817C3SD 具有单通道设计，电压隔离值高达 5000Vrms，能够有效避免高压对低压电路造成的损害。其最小电流传输比为 200%（在 5mA 输入电流时），最大电流传输比则为 400%，确保了在宽范围内的输入输出线性关系。这种特性使其在实际应用中展现出优异的信号处理能力。
性能特点
该光耦的上升及下降时间典型值分别为 4µs 和 3µs，这意味着 FOD817C3SD 能够快速响应输入信号，适应高频应用。这种快速的响应能力是现代电子电路中非常重要的性能指标，特别是在数据通信和控制系统中。
电流和电压参数：该光耦的输出电压最大值可达 70V，输出通道电流为 50mA，能够处理多种应用场景下的实际需求。正向电压（Vf）典型值为 1.2V，最大正向电流（If）为 50mA，这使得它在正常操作条件下非常稳定。
饱和压降：FOD817C3SD 的 Vce 饱和压降最大值仅为 200mV，这增强了其在低功耗应用中的有效性，减小了能量损耗，为设备的整体能效提供了保障。
环境适应性
FOD817C3SD 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 110°C，可以满足各种苛刻环境下的应用需求。这一性能使得该光耦可以广泛应用于工业控制、汽车电子和消费电子等领域，使用者无需担心在不同环境条件下的性能下降。
封装与安装
该器件采用表面贴装型 (SMD) 4-SMD 封装，具有小型、轻便的优点，适合现代电子设备的小型化设计需求。安装简便，适合自动化生产线的焊接需求，提高了生产效率。
应用场景
FOD817C3SD 在多个应用领域均表现出优良性能。其高隔离电压使其适用于电源管理电路、微处理器接口、信号隔离、数据传输等领域，在需要高电压与低电压之间隔离的场合中尤为理想。此外，适用于传感器和执行器的应用中，提供双向电气隔离，确保系统的稳定性与安全性。
总结
FOD817C3SD 是一款在各方面表现出众的光耦合器，凭借其卓越的电气性能、广泛的工作温度范围和方便的安装方式，成为电子设计工程师和系统集成商的优选元件。无论是在高方式设备的创新应用，还是在传统行业的改造升级中，FOD817C3SD 都能提供显著的性能优势，助力现代电子技术的发展。