功率(Pd) | 32.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@15V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.8mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 85A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
AON6324是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为6.2W,最高耐压可达到30V,最大连续电流为85A。该器件采用DFN-8封装(尺寸为5.6mm x 5.2mm),是由著名厂商AOS(Advanced Optoelectronic Systems)生产。AON6324被广泛应用于各类高效能电源管理和电机控制电路中,尤其适合于对功率密度、效率和热管理要求较高的应用场景。
电压与电流特性:
热特性:
封装特点:
开关特性:
AON6324广泛应用于多个电子行业,以下是几个主要的应用场合:
开关电源(SMPS):
电机驱动:
电池管理系统(BMS):
家电及消费电子:
AON6324是一款集高效率、低耗损及良好散热特性于一身的N沟道场效应管,适合多样化的应用场景。凭借其稳健的电气性能和良好的热管理设计,使得AON6324成为现代电子产品设计中不可或缺的关键元器件之一。在高速开关操作、功率转换以及电机控制等领域,AON6324都能提供卓越的性能支持,有助于设计师实现他们的创新目标。因此,采用AON6324不仅能够提高产品性能,还能在市场竞争中增强产品的可靠性与经济性。