AON6324 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AON6324

商品编码: BM0000177599
品牌 : 
AOS
封装 : 
DFN5X6
包装 : 
编带
重量 : 
0.119g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 6.2W 30V 85A 1个N沟道 DFN-8(5.6x5.2)
库存 :
5(起订量1,增量1)
批次 :
20+
数量 :
X
3.15
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.15
--
100+
¥2.52
--
750+
¥2.25
--
1500+
¥2.12
--
3000+
¥2.02
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

AON6324参数

功率(Pd)32.5W反向传输电容(Crss@Vds)60pF@15V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.8mΩ@10V,20A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V
漏源电压(Vdss)30V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.9nF@15V连续漏极电流(Id)85A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.1V@250uA

AON6324手册

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AON6324概述

AON6324 产品概述

一、产品简介

AON6324是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为6.2W,最高耐压可达到30V,最大连续电流为85A。该器件采用DFN-8封装(尺寸为5.6mm x 5.2mm),是由著名厂商AOS(Advanced Optoelectronic Systems)生产。AON6324被广泛应用于各类高效能电源管理和电机控制电路中,尤其适合于对功率密度、效率和热管理要求较高的应用场景。

二、重要技术参数

  1. 电压与电流特性:

    • 最大漏源电压(V_DS):30V
    • 最大漏极电流(I_D):85A
    • 功率损耗(P_D):6.2W
  2. 热特性:

    • 该器件具有良好的热管理性能,其封装设计不仅提供了优良的散热效果,还使其在高电流下工作时具备良好的热稳定性。
  3. 封装特点:

    • DFN-8封装(5.6mm x 5.2mm),具有较小的面积,有助于电路板的空间优化。同时,该封装结构比较薄,适合于超薄应用设计,符合现代电子产品对节省空间和降低重量的需求。
  4. 开关特性:

    • 由于其快速的开关特性,AON6324能够在高频应用中保持低的开关损耗,因此在开关电源、 DC-DC变换器和其他相关领域中表现良好。

三、应用场景

AON6324广泛应用于多个电子行业,以下是几个主要的应用场合:

  1. 开关电源(SMPS):

    • 在开关电源中,MOSFET作为开关元件工作,AON6324的高效率和高耐压特性使其特别适合此类应用。利用MOSFET的快速开关特性,可以有效降低功率损耗,提高电源转换效率。
  2. 电机驱动:

    • 在DC电机驱动和步进电机控制中,AON6324能够提供稳定的电流输出,适应不同负载条件,确保电机的高效运行。
  3. 电池管理系统(BMS):

    • 在电池管理系统中,MOSFET常用于电流控制和功率切换,AON6324的高导通能力能够有效管理电池的充放电过程,提高电池的使用效率和安全性。
  4. 家电及消费电子:

    • 在各类家电和消费电子产品中,AON6324可以用于电源辅助电路,降低功耗,提高整体产品的性能。

四、性能优势

  • 高功率密度: AON6324在小体积内提供了高达6.2W的功率,有助于实现高密度设计。
  • 低导通电阻: 此型号MOSFET具有较低的导通电阻,配合较高的电流等级,可以减少热量产生,优化散热设计。
  • 适用性广泛: 不同于许多专用MOSFET,AON6324适用于各类通用或特定应用,其性能稳定,容易获得市场的信赖。

五、总结

AON6324是一款集高效率、低耗损及良好散热特性于一身的N沟道场效应管,适合多样化的应用场景。凭借其稳健的电气性能和良好的热管理设计,使得AON6324成为现代电子产品设计中不可或缺的关键元器件之一。在高速开关操作、功率转换以及电机控制等领域,AON6324都能提供卓越的性能支持,有助于设计师实现他们的创新目标。因此,采用AON6324不仅能够提高产品性能,还能在市场竞争中增强产品的可靠性与经济性。