功率(Pd) | 2.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 200pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,50A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 61nC |
漏源电压(Vdss) | 40V | 输入电容(Ciss@Vds) | 6.02nF@20V |
连续漏极电流(Id) | 170A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
产品描述: BSC014N04LS是一款由英飞凌(Infineon)生产的绝缘栅场效应管(MOSFET),采用PG-TDSON-8封装。这款高性能MOSFET专为高效能电源转换和开关应用而设计。其具备卓越的导通性能和低的开启电压,可以有效地降低系统的功耗,提高整体效率。因此,BSC014N04LS广泛应用于各种电子设备,包括但不限于电源管理、电机驱动和其他需要高效率和高功率密度的应用。
技术规格: BSC014N04LS的关键技术规格包括:
应用场景: BSC014N04LS适用于以下应用场景:
电源管理: 作为电源开关或反向电流保护元件,确保电源在高效能下运行,可以应用于AC/DC转换器、DC/DC变换器等。
电动机驱动: 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动电路中,与其他控制器件组合使用,以实现高效控制。
电池管理系统(BMS): 在电动汽车(EV)或其他可再生能源太阳能发电系统中,实现高效的充放电控制。
消费类电子产品: 由于其小巧的封装和良好的性能,适用于现代电子设备如LED驱动、电源适配器等。
性能优势: BSC014N04LS的设计考虑了现代应用需求,提供了一系列的性能优势:
低导通电阻: 低R_DS(on)能够有效降低导通损耗,提升能效,非常适合高频开关应用。
高效散热设计: PG-TDSON-8封装能够有效管理热量,保证器件在高密度应用中的稳定运行,减少了整体系统的散热设计难度。
可靠性: 该产品经过严格的质量控制和测试,在广泛的工作温度范围内保持优异的性能,确保其在严酷工作环境中仍能正常运行。
结论: 总之,BSC014N04LS是一款集高性能和高可靠性于一体的MOSFET,适合各种高效率电源管理和开关控制应用。其低导通电阻及优异的散热特性,使其成为现代电子设计的重要选择。无论是在消费电子、工业设备还是电动汽车领域,BSC014N04LS都能提供卓越的解决方案,帮助设计师实现高效率、高密度的产品。选择BSC014N04LS,您将收获极致的性能与可靠性。