BSC014N04LS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BSC014N04LS

商品编码: BM0000177597
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-TDSON-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
2681(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
5.65
按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.65
--
100+
¥4.71
--
1250+
¥4.36
--
2500+
¥4.16
--
5000+
¥3.96
--
50000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSC014N04LS参数

功率(Pd)2.5W反向传输电容(Crss@Vds)200pF@20V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4mΩ@10V,50A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)61nC
漏源电压(Vdss)40V输入电容(Ciss@Vds)6.02nF@20V
连续漏极电流(Id)170A阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA

BSC014N04LS手册

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BSC014N04LS概述

BSC014N04LS 产品概述

产品描述: BSC014N04LS是一款由英飞凌(Infineon)生产的绝缘栅场效应管(MOSFET),采用PG-TDSON-8封装。这款高性能MOSFET专为高效能电源转换和开关应用而设计。其具备卓越的导通性能和低的开启电压,可以有效地降低系统的功耗,提高整体效率。因此,BSC014N04LS广泛应用于各种电子设备,包括但不限于电源管理、电机驱动和其他需要高效率和高功率密度的应用。

技术规格: BSC014N04LS的关键技术规格包括:

  • 最大漏极-源极电压(V_DS): 40V
  • 最大连续漏极电流(I_D): 55A(在适当的散热条件下)
  • 最低门极阈值电压(V_GS(th)): 1.4V至3.0V
  • R_DS(on): 在V_GS = 10V时,电阻值为约 1.4mΩ,表现出极低的导通损耗。
  • 封装类型: PG-TDSON-8,具有良好的热散发特性和空间效益。

应用场景: BSC014N04LS适用于以下应用场景:

  1. 电源管理: 作为电源开关或反向电流保护元件,确保电源在高效能下运行,可以应用于AC/DC转换器、DC/DC变换器等。

  2. 电动机驱动: 在无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动电路中,与其他控制器件组合使用,以实现高效控制。

  3. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车(EV)或其他可再生能源太阳能发电系统中,实现高效的充放电控制。

  4. 消费类电子产品: 由于其小巧的封装和良好的性能,适用于现代电子设备如LED驱动、电源适配器等。

性能优势: BSC014N04LS的设计考虑了现代应用需求,提供了一系列的性能优势:

  • 低导通电阻: 低R_DS(on)能够有效降低导通损耗,提升能效,非常适合高频开关应用。

  • 高效散热设计: PG-TDSON-8封装能够有效管理热量,保证器件在高密度应用中的稳定运行,减少了整体系统的散热设计难度。

  • 可靠性: 该产品经过严格的质量控制和测试,在广泛的工作温度范围内保持优异的性能,确保其在严酷工作环境中仍能正常运行。

结论: 总之,BSC014N04LS是一款集高性能和高可靠性于一体的MOSFET,适合各种高效率电源管理和开关控制应用。其低导通电阻及优异的散热特性,使其成为现代电子设计的重要选择。无论是在消费电子、工业设备还是电动汽车领域,BSC014N04LS都能提供卓越的解决方案,帮助设计师实现高效率、高密度的产品。选择BSC014N04LS,您将收获极致的性能与可靠性。