功率(Pd) | 500mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 8pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13Ω@10V,0.14A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.8nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 250V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 109pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 140mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@130uA |
BSR92P H6327是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为500mW,最大耐压为250V,最大漏电流可达140mA。该元件采用SOT-23封装(PG-SC59-3),其小型化设计使其非常适合于空间受限的电子电路中。这款MOSET广泛应用于各种电子设备中,比如开关电源、线性稳压器和其他功率管理应用,以实现高效开关控制和信号放大。
高耐压:BSR92P H6327具备250V的耐压能力,能够应对较高的工作电压环境,使其比较适合用于高压应用场合。
低导通电阻:该MOSFET在导通状态下展示出较低的导通电阻,确保了良好的电流传输效率,降低了功耗,提升了整机性能。
小型封装:SOT-23封装的设计可以大幅度降低PCB布板空间,使得开发者能够在设计较小型产品时获得更多的灵活性。
出色的热性能:虽然其功率额定值为500mW,但在适当的热管理措施下,BSR92P H6327能够在多种应用场景下稳定运作,确保设备的长期可靠性。
易于驱动:作为一种场效应管,BSR92P H6327的栅极驱动要求较低,能够在更广泛的电压范围内满足开关要求,从而简化电路设计。
BSR92P H6327因其优秀的电气性能和低功耗特性,适合广泛的应用,包括但不限于以下几个领域:
开关电源:在开关电源中,BSR92P可以作为开关元件,用于实现高效的电源转换。
电机控制:在小型电机控制电路中,该MOSFET能够提供精确的电流控制,达到良好的调速和启停性能。
功率放大器:在音频应用中,BSR92P被用于功率放大器中,有助于提高音频信号的质量和清晰度。
LED驱动:应用于LED驱动电路时,BSR92可以有效控制LED亮度,实现调光功能。
信号开关:利用其高开关速度和低导通电阻,BSR92P还可以用于各种信号开关应用,确保信号的完整性。
项目 | 参数 |
---|---|
类型 | P沟道MOSFET |
额定功率 | 500 mW |
最大漏源电压 | 250 V |
最大漏电流 | 140 mA |
封装 | SOT-23(PG-SC59-3) |
工作温度范围 | -55°C至150°C |
导通电阻(RDS(on)) | 典型值 |
节能环保:凭借其低功耗特性,BSR92P H6327符合现代电子产品节能的趋势,有助于降低系统总体能源消耗。
设计灵活性:小型化设计方便与其他元件进行紧凑布局,提升产品的设计灵活性。
可靠性强:得益于其出色的热性能和耐压能力,BSR92P H6327在高压和高温环境中表现稳定,非常适合要求较高的工业应用。
BSR92P H6327是一款理想的P沟道MOSFET,凭借其高耐压、低功耗以及紧凑的封装,适用于多种电子应用。无论是在开关电源、电机控制还是LED驱动和信号开关等领域,该元件均展现出出色的性能,为电子工程师和设计师提供了更多的设计选择和项目实现的可能。随着电子技术的发展,BSR92P H6327的应用前景依旧广泛,为现代电子产品的性能提升提供了重要支持。