BSR92P H6327 产品实物图片
BSR92P H6327 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSR92P H6327

商品编码: BM69420095
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
PG-SC59-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 250V 140mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.93
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.93
--
100+
¥1.55
--
750+
¥1.38
--
1500+
¥1.31
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSR92P H6327参数

功率(Pd)500mW反向传输电容(Crss@Vds)8pF@25V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)13Ω@10V,0.14A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)4.8nC@10V
漏源电压(Vdss)250V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)109pF@25V连续漏极电流(Id)140mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@130uA

BSR92P H6327手册

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BSR92P H6327概述

BSR92P H6327 产品概述

一、概述

BSR92P H6327是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其额定功率为500mW,最大耐压为250V,最大漏电流可达140mA。该元件采用SOT-23封装(PG-SC59-3),其小型化设计使其非常适合于空间受限的电子电路中。这款MOSET广泛应用于各种电子设备中,比如开关电源、线性稳压器和其他功率管理应用,以实现高效开关控制和信号放大。

二、主要特性

  1. 高耐压:BSR92P H6327具备250V的耐压能力,能够应对较高的工作电压环境,使其比较适合用于高压应用场合。

  2. 低导通电阻:该MOSFET在导通状态下展示出较低的导通电阻,确保了良好的电流传输效率,降低了功耗,提升了整机性能。

  3. 小型封装:SOT-23封装的设计可以大幅度降低PCB布板空间,使得开发者能够在设计较小型产品时获得更多的灵活性。

  4. 出色的热性能:虽然其功率额定值为500mW,但在适当的热管理措施下,BSR92P H6327能够在多种应用场景下稳定运作,确保设备的长期可靠性。

  5. 易于驱动:作为一种场效应管,BSR92P H6327的栅极驱动要求较低,能够在更广泛的电压范围内满足开关要求,从而简化电路设计。

三、应用领域

BSR92P H6327因其优秀的电气性能和低功耗特性,适合广泛的应用,包括但不限于以下几个领域:

  • 开关电源:在开关电源中,BSR92P可以作为开关元件,用于实现高效的电源转换。

  • 电机控制:在小型电机控制电路中,该MOSFET能够提供精确的电流控制,达到良好的调速和启停性能。

  • 功率放大器:在音频应用中,BSR92P被用于功率放大器中,有助于提高音频信号的质量和清晰度。

  • LED驱动:应用于LED驱动电路时,BSR92可以有效控制LED亮度,实现调光功能。

  • 信号开关:利用其高开关速度和低导通电阻,BSR92P还可以用于各种信号开关应用,确保信号的完整性。

四、技术参数

项目参数
类型P沟道MOSFET
额定功率500 mW
最大漏源电压250 V
最大漏电流140 mA
封装SOT-23(PG-SC59-3)
工作温度范围-55°C至150°C
导通电阻(RDS(on))典型值

五、产品优势

  1. 节能环保:凭借其低功耗特性,BSR92P H6327符合现代电子产品节能的趋势,有助于降低系统总体能源消耗。

  2. 设计灵活性:小型化设计方便与其他元件进行紧凑布局,提升产品的设计灵活性。

  3. 可靠性强:得益于其出色的热性能和耐压能力,BSR92P H6327在高压和高温环境中表现稳定,非常适合要求较高的工业应用。

六、总结

BSR92P H6327是一款理想的P沟道MOSFET,凭借其高耐压、低功耗以及紧凑的封装,适用于多种电子应用。无论是在开关电源、电机控制还是LED驱动和信号开关等领域,该元件均展现出出色的性能,为电子工程师和设计师提供了更多的设计选择和项目实现的可能。随着电子技术的发展,BSR92P H6327的应用前景依旧广泛,为现代电子产品的性能提升提供了重要支持。